[发明专利]功率半导体器件及其应用在审
| 申请号： | 202210258377.1 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114823907A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈昭铭;夏经华;张安平 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室;东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘珍 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 应用 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
基体，所述基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区，所述栅氧介质层包绕所述栅电极区，所述源区位于所述第一金属区与所述栅氧介质层之间且所述源区的侧壁分别与所述第一金属区和所述栅氧介质层接触，所述第一金属区、所述源区、所述栅氧介质层与所述栅电极区的表面与所述基体的一侧表面平齐，所述基体和所述源区具有同一导电类型，所述基体的材料的功函数小于所述第一金属区的材料的功函数；
绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述栅氧介质层、所述栅电极区以及所述源区上。
2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括第二金属区，所述第二金属区设置在所述第一金属区的远离与所述基体平齐的一侧，所述第二金属区的材料的功函数大于所述基体的材料的功函数，且所述第二金属区的材料的功函数小于所述第一金属区的材料的功函数。
3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述基体包括衬底和设置于衬底上的漂移区，所述第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区设置于所述漂移区内，且表面与所述漂移区的远离所述衬底的一侧表面平齐。
4.如权利要求3所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底的材料以及所述漂移区的材料选自碳化硅、氮化镓以及氧化镓中的至少一种。
5.如权利要求4所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底的掺杂浓度为1018cm-3～1020cm-3，所述漂移区的掺杂浓度为1014cm-3～1×1018cm-3。
6.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述栅电极区材料选自多晶硅、碳化硅以及金属材料中的至少一种。
7.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述源区的深度浅于所述第一金属区。
8.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一金属区的深度浅于所述栅电极区。
9.如权利要求1～8所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括源电极区和漏电极区，其中，所述源电极区在所述绝缘介质层上形成，所述漏电极区在所述基体的远离所述绝缘介质层的一侧形成。
10.一种电子产品，其特征在于，包含如权利要求1～9任一项所述的功率半导体器件。
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