[发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括依次层叠的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、布拉格反射层以及电流传输层，所述布拉格反射层包括P型布拉格反射部和N型布拉格反射部，电流传输层包括P型电流传输部和N型电流传输部，其中，所述P型布拉格反射部上开设有第一通孔，所述N型布拉格反射部上开设有第二通孔，所述第一通孔用于将所述P型电流传输部与所述电流扩展层电性连接，所述第二通孔用于所述N型电流传输部与所述N型半导体层电性连接。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还包括衬底、缓冲层、绝缘保护层和键合金属层；

所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源发光层、所述P型半导体层、所述电流阻挡层、所述电流扩展层、所述布拉格反射层、所述电流传输层、所述绝缘保护层以及所述键合金属层依次层叠在所述衬底上。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述电流扩展层为氧化铟锡层，所述电流扩展层的厚度为

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述布拉格反射层为低折射率层与高折射率层交替层叠的周期性结构，其中，所述低折射率层为SiO₂层，所述高折射率层为Ti₃O₅层。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔的面积为20um²～1000um²。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔分别设置有多个，且相邻两个所述第一通孔之间的间隔为10μm～200μm，相邻两个所述第二通孔之间的间隔为10μm～200μm。

7.根据权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘保护层包括P型绝缘保护部和N型绝缘保护部，所述键合金属层包括P型键合金属部和N型键合金属部，所述P型绝缘保护部上开设有第三通孔，所述N型绝缘保护部上开设有第四通孔，所述P型键合金属部与所述P型电流传输部通过所述第三通孔电性连接，所述N型键合金属部与所述N型电流传输部通过所述第四通孔电性连接。

8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述倒装发光二极管芯片还开设有隔离槽，所述隔离槽的角度为30°～80°。

9.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-8任一项所述的倒装发光二极管芯片，所述制备方法包括：

提供一生长所需的衬底；

在所述衬底上依次外延生长缓冲层、N型半导体层、有源发光层、P型半导体层、电流阻挡层、电流扩展层、布拉格反射层、电流传输层、绝缘保护层以及键合金属层；

其中，在生长完所述布拉格反射层后，在所述布拉格反射层上刻蚀出第一通孔和第二通孔。

10.根据权利要求9所述的倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述刻蚀出第一通孔和第二通孔的工艺为电感耦合等离子体刻蚀工艺。