[发明专利]一种光电晶体管及其感光方法

权利要求书

1.一种具有光电响应的光电晶体管，包括：

逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域；

其中在光照阶段和积分阶段，所述光电晶体管的底栅电极和顶栅电极电压不同，且使所述光电晶体管处在关态工作区；所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间段；

其中所述具有光记忆功能的半导体材料包括金属氧化物半导体。

2.如权利要求1所述的光电晶体管，其中在复位阶段，所述光电晶体管的底栅电极和顶栅电极的电压使得所述光电晶体管处于开态工作区。

3.如权利要求1所述的光电晶体管，其中所述光电晶体管还包括至少位于所述顶栅电极上的钝化层，以及位于所述钝化层和所述源漏区域上方的闪烁体。

4.一种利用双栅光电晶体管感光的方法，其中所述双栅光电晶体管的有源层材料包括具有光记忆功能的材料，所述方法包括：

在光照阶段向该双栅光电晶体管曝光，在随后的积分阶段取消光照，在整个光照阶段和积分阶段向所述双栅光电晶体管的底栅电极和顶栅电极分别施加不同的电位，并使所述双栅光电晶体管处在关态工作区，所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间段,所述具有光记忆功能的半导体材料包括金属氧化物半导体。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

在复位阶段，向所述双栅光电晶体管的底栅电极和顶栅电极施加电压，使所述双栅光电晶体管处在开态工作区。

6.一种图像传感器阵列，包括读出电路，栅极驱动电路和偏置电路，以及与其耦合的包括如权利要求1-3中任一所述的光电晶体管的像素阵列。