[发明专利]一种光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在铌酸锂基片上制作二氧化硅薄膜后，然后在二氧化硅薄膜表面涂布负性光刻胶，再进行光刻，形成光刻胶图案；

（2）将形成光刻胶图案的铌酸锂基片先进行紫外老化，然后进行热老化，再对热老化后的铌酸锂基片进行清洗、刻蚀，最后去除光刻胶，制得光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜；

其中，紫外老化条件为：使用光刻机对光刻胶图案进行无光刻版老化曝光，曝光剂量为光刻时曝光剂量的3-10倍；

热老化条件为：于120-150℃条件下，烘烤0.5-2h，热老化温度的升降速度≤3℃/min；

清洗所用的清洗液为铬酸洗液。

2.根据权利要求1所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中在铌酸锂基片上制作二氧化硅薄膜的厚度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中负性光刻胶为近紫外负性光刻胶，其厚度为0.5-1.5μm。

4.根据权利要求1或2所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中在铌酸锂基片上制作二氧化硅薄膜的方法为PECVD法或磁控溅射法。

5.根据权利要求1所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，铬酸洗液包括以下原料：重铬酸钾、浓硫酸和去离子水；其中，重铬酸钾、浓硫酸和去离子水的质量体积比为：（9-11）g：（90-110）mL：（90-110）mL。

6.根据权利要求1或5所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，利用铬酸洗液清洗的时间为2-5min。

7.根据权利要求1所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中刻蚀所用的刻蚀液包括以下原料：氟化氢、氟化铵和去离子水；其中，刻蚀液中氟化氢的质量分数为2-3%、氟化铵的质量分数为15-20%、余量为去离子水。

8.一种光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜，其特征在于，该掩膜是采用权利要求1-7任一项所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜的制备方法制得。

9.权利要求8所述的光纤陀螺用铌酸锂光波导掩膜在制备光纤陀螺方面的应用。