[发明专利]交流小信号驱动射频微波放大器

权利要求书

1.交流小信号驱动射频微波放大器，所述射频微波放大器在交流小信号工作周期的半周期内工作，所述交流小信号的频率低于射频微波放大器输入信号频率的十分之一；

所述射频微波放大器包括晶体管、第一电感、第一选频网络、第二选频网络和馈电网络；利用晶体管的寄生栅源电容、栅漏电容或漏源电容与第一电感串联或并联构成谐振选频网络，设置晶体管的寄生栅源电容、栅漏电容或漏源电容的电容值C和第一电感的电感值L满足，设置所述第一选频网络和第二选频网络的工作频率等于，

为所述射频微波放大器输入信号的角频率；所述第一选频网络的输入端连接所述射频微波放大器输入信号，其输出端连接所述晶体管的栅极；所述馈电网络包括高通支路和低通支路，所述晶体管的漏极和源极中一端接地，另一端连接所述馈电网络中高通支路的输入端和低通支路的输出端；所述低通支路的输入端连接所述交流小信号，所述高通支路的输出端连接所述第二选频网络的输入端，所述第二选频网络的输出端作为所述射频微波放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的交流小信号驱动射频微波放大器，其特征在于：

若采用晶体管的寄生栅源电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生栅源电容与第一电感串联时，第一电感接在所述晶体管的栅极和所述第一选频网络的输出端之间，所述晶体管的源极接地，其漏极连接所述馈电网络，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的正半周期内工作；若采用晶体管的寄生栅漏电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生栅漏电容与第一电感串联时，所述晶体管的源极接地，其漏极通过第一电感后连接所述馈电网络，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的正半周期内工作；若采用晶体管的寄生漏源电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生漏源电容与第一电感串联时，所述晶体管的源极通过第一电感后接地，其漏极连接所述馈电网络，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的正半周期内工作。

3.根据权利要求1所述的交流小信号驱动射频微波放大器，其特征在于：

若采用晶体管的寄生栅源电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生栅源电容与第一电感并联时，第一电感一端连接晶体管的栅极，另一端连接晶体管的源极，所述晶体管的源极接地，其漏极连接所述馈电网络，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的正半周期内工作；若采用晶体管的寄生栅漏电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生栅漏电容与第一电感并联时，所述晶体管的漏极连接第一电感的一端并接地，其源极连接所述馈电网络，第一电感的另一端连接晶体管的栅极，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的负半周期内工作；若采用晶体管的寄生漏源电容与第一电感构成谐振选频网络，当寄生漏源电容与第一电感并联时，所述晶体管的源极连接第一电感的一端并接地，其漏极连接第一电感的另一端和所述馈电网络，所述射频微波放大器在所述交流小信号工作周期的正半周期内工作。

4.根据权利要求1-3任一项所述的交流小信号驱动射频微波放大器，其特征在于，所述低通支路包括第二电感和第一电容，第二电感的一端作为所述低通支路的输入端并通过第一电容后接地，其另一端作为所述低通支路的输出端；所述高通支路包括第三电感和第二电容，第二电容的一端作为所述高通支路的输入端，其另一端作为所述高通支路的输出端并通过第三电感后接地。

5.根据权利要求4所述的交流小信号驱动射频微波放大器，其特征在于，所述交流小信号为工频信号。