[发明专利]包含杂环化合物的发光装置和电子设备在审
申请号: | 202210266178.5 | 申请日: | 2022-03-15 |
公开(公告)号: | CN115084398A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 金泰一;沈文基;朴宣映;朴俊河;白长烈;鲜于卿;吴灿锡;郑旼静 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;C07F5/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 杂环化合物 发光 装置 电子设备 | ||
1.发光装置包括:
第一电极;
面对所述第一电极的第二电极;以及
在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层,其中
所述中间层包含式1的杂环化合物:
式1
式1-1
式1-2
其中,在式1、式1-1和式1-2中,
A1是式1-1的基团,
B1是式1-2的基团,
n1是1至10的整数,
CY1至CY4各自彼此独立地是C5-C30碳环基团或C1-C30杂环基团,
Y1和Y2各自彼此独立地是B、P(=O)或P(=S),
X1是O、S、Se、Te、N(Ar1)、Al(Ar1)或P(Ar1),
X2是O、S、Se、Te、N(Ar2)、Al(Ar2)或P(Ar2),
X3是O、S、Se、Te、N(Ar3)、Al(Ar3)或P(Ar3),
X4是O、S、Se、Te、N(Ar4)、Al(Ar4)或P(Ar4),
Ar1至Ar10各自彼此独立地是与式1中的B1的结合位点、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)或-P(=O)(Q1)(Q2),
Ar1至Ar10中的至少一个是与式1中的B1的结合位点,
T11是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
X11是N或C(R11),X12是N或C(R12),X13是N或C(R13),并且X14是N或C(R14),
R1至R4和R11至R14各自彼此独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-C(Q1)(Q2)(Q3)、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(=O)(Q1)、-S(=O)2(Q1)或-P(=O)(Q1)(Q2),
a1至a4各自彼此独立地是0至10的整数,
当a1是2或大于2的整数时,两个或多于两个的R1任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
当a2是2或大于2的整数时,两个或多于两个的R2任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
当a3是2或大于2的整数时,两个或多于两个的R3任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
当a4是2或大于2的整数时,两个或多于两个的R4任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
R11至R14中的两个或多于两个的相邻基团任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团,
式1-2中的*是与式1中的A1的结合位点,以及
R10a是:
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团;
各自彼此独立地未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(=O)(Q11)、-S(=O)2(Q11)、-P(=O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团;
各自彼此独立地未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(=O)(Q21)、-S(=O)2(Q21)、-P(=O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团;或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(=O)(Q31)、-S(=O)2(Q31)或-P(=O)(Q31)(Q32),
其中Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自彼此独立地是:氢;氘;-F;-Cl;-Br;-I;羟基基团;氰基基团;硝基基团;C1-C60烷基基团;C2-C60烯基基团;C2-C60炔基基团;C1-C60烷氧基基团;各自彼此独立地未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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