[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

说明书

提出了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供半导体结构（102）。该方法还包括直接在半导体结构（102）的部分上形成辅助层（104）。硅和氮是辅助层（104）的主要成分。该方法还包括在辅助层（104）上形成导电材料（106）。导电材料（106）包括AlSiCu、AlSi或钨，并且经由辅助层（104）电连接到半导体结构（102）的该部分。

技术领域

本公开涉及一种晶体管器件的制造方法，尤其涉及一种包括在半导体结构上形成辅助层的方法。

背景技术

新世代的半导体器件（例如绝缘栅场效应晶体管（IGFET），如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极晶体管（IGBT））的技术发展的目的在于，通过缩小器件几何形状来改进电器件特性并降低成本。虽然通过缩小器件几何形状可以降低成本，但是当增加每单位面积的器件功能时，必须满足各种折衷和挑战。例如，考虑到满足与窄接触孔中的导电填充物相关联的电特性（例如接触电阻或闭锁稳健性）的需求，器件几何形状的缩小可能会伴随有挑战。

可能需要改进半导体器件中的电接触结构的制造方法。

发明内容

本公开的示例涉及形成半导体器件的方法。所述方法包括提供半导体结构。所述方法还包括直接在半导体结构的部分上形成辅助层。硅（Si）和氮（N）是辅助层的主要成分。所述方法还包括在所述辅助层上形成导电材料。导电材料包括AlSiCu、AlSi或钨，并经由辅助层电连接到半导体结构的所述部分。

本公开的示例涉及一种半导体器件。半导体器件包括半导体结构。半导体器件还包括直接在半导体结构的部分上的辅助层。硅和氮是辅助层的主要成分。半导体器件还包括在辅助层上的导电材料。导电材料包括AlSiCu、AlSi或钨，并经由辅助层电连接到半导体结构的所述部分。

附图说明

附图被包括以提供对实施例的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的部分。附图示出了制造半导体器件的示例，并且与描述一起用于解释示例的原理。在以下详细描述和权利要求中描述了其他示例。

图1包括用于示出在半导体器件的半导体结构的第一表面上制造辅助层的方法的示例的示意性截面图。

图2包括用于示出制造辅助层的方法的示例的示意性截面图，该辅助层衬垫（line）半导体器件的半导体结构的第一表面的凹槽的侧壁和底部。

图3至图8是包括设置在半导体结构和导电材料之间的辅助层的半导体器件的示意性截面图。

具体实施方式

在以下详细描述中，参考附图，所述附图形成了详细描述的部分，并且在附图中通过图示示出了其中可以处理半导体基板的特定示例。应当理解，在不脱离本公开范围的情况下，可以利用其他示例并且可以进行结构或逻辑上的改变。例如，针对一个示例示出或描述的特征可以用在其他示例上或与其他示例结合使用，以产生又一示例。本公开意在包括这样的修改和变化。使用特定语言描述了这些示例，所述语言不应被解释为限制所附权利要求的范围。附图没有按比例绘制，并且仅用于说明的目的。如果没有另外说明，则在不同附图中对应的要素由相同的附图标记来表示。

术语“具有”、“含有”、“包含”、“包括”等是开放的，并且术语指示所述的结构、要素或特征的存在，但不排除另外的要素或特征的存在。冠词“一”、“一个”和“该”旨在包括复数以及单数，除非上下文另有明确指示。

术语“电连接”描述了电连接元件之间的永久性低电阻连接，例如相关元件之间的直接接触或经由金属和/或重掺杂半导体材料的低电阻连接。术语“电耦合”包括可以连接在电耦合元件之间的适于信号和/或功率传输的一个或多个中间元件，例如，可控制成在第一状态中临时提供低电阻连接和在第二状态中临时提供高电阻电去耦的元件。欧姆接触是一种非整流的电学结。