[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底之上P型半导体层；

位于所述P型半导体层之上，且和所述P型半导体层接触的缓冲层；

位于所述缓冲层之上的沟道层；

位于所述沟道层之上的势垒层；

以及源极、栅极和漏极；其中，所述P型半导体层和所述源极连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

与所述P型半导体层接触的P型欧姆接触电极，其中，所述P型半导体层通过所述P型欧姆接触电极和所述源极连接。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述P型欧姆接触电极设置在所述P型半导体层上。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的下表面全部与所述P型半导体层接触；其中，所述下表面为靠近所述衬底的一面。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件，其特征在于，每一立方厘米所述P型半导体层中的P型杂质原子的数量为10¹⁷-10¹⁹。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括多个第一缓冲层，所述P型半导体层包括多个第一P型半导体层，所述多个第一缓冲层和所述多个第一P型半导体层交错堆叠。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

与所述多个第一P型半导体层同时接触的P型欧姆接触电极，其中，所述多个第一P型半导体层通过所述P型欧姆接触电极和所述源极连接。

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述P型半导体层和所述衬底之间设置有应力释放层。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其特征在于，P型半导体层为P型氮化镓，所述缓冲层为C掺杂氮化镓，所述沟道层为非故意掺杂氮化镓。

10.一种功率转化电路，其特征在于，所述电路包含电容、以及，如权利要求1-9任一项所述的半导体器件。

11.一种供电系统，其特征在于，所述系统包括多个发电单元、高压电源；其中，每个发电单元包括：低压电源，以及，如权利要求10所述的功率转化电路。

12.根据权利要求11所述的系统，其特征在于，所述低压电源为光伏组串，所述高压电源为直流负载。

13.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上生长第一半导体层，所述第一半导体层包括P型半导体层；

在所述P型半导体层上生长缓冲层；

在所述缓冲层上生长沟道层；

在所述沟道层上生长势垒层；

制备源极、栅极和漏极；

连接所述源极和所述P型半导体层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述P型半导体层进行退火；其中，所述退火包括：将所述P型半导体层加热到600-900℃，并保温预设时长。

15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述连接所述源极和所述P型半导体层包括：

从所述势垒层的开始，沿着朝向所述P型半导体层的方向进行刻蚀，并刻蚀到所述P型半导体层，暴露所述P型半导体层的第一区域；

在所述第一区域上生长P型欧姆接触电极；

连接所述P型欧姆接触电极和所述源极。