[发明专利]多存储器装置中的战略性电力模式转变

说明书

本申请案针对于多存储器装置中的战略性电力模式转变。控制器可从主机装置接收指示所述控制器将使易失性存储器和非易失性存储器从相应深度睡眠模式转变的命令指示。在第一实例中，所述控制器可通过使所述易失性存储器转变到用于所述易失性存储器的待机电力模式并且使所述非易失性存储器转变到用于所述非易失性存储器的中间电力模式来对所述命令作出响应，所述中间电力模式与用于所述非易失性存储器的待机模式相比消耗较少电力。在第二实例中，所述控制器可通过使所述易失性存储器转变到用于所述易失性存储器的所述待机电力模式并且将所述非易失性存储器维持于所述深度睡眠模式中直到发生例如未命中条件为止，以此对所述命令作出响应。

相关申请案的交叉引用

本专利申请案主张以下申请案的优先权：马利克(MALIK)等人在2022年1月19日提交的标题为“多存储器装置中的战略性电力模式转变(STRATEGIC POWER MODE TRANSITIONIN A MULTI-MEMORY DEVICE)”的美国专利申请案第17/648,398号；和马利克等人在2021年3月18日提交的标题为“多存储器装置中的战略性电力模式转变(STRATEGIC POWER MODETRANSITION IN A MULTI-MEMORY DEVICE)”的美国临时专利申请案第63/162,839号，这两篇申请案均转让给本受让人，并且均以全文引用的方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及多存储器装置中的战略性电力模式转变。

背景技术

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器，例如FeRAM，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。易失性存储器装置(例如DRAM)在与外部电源断开连接时可能丢失其所存储状态。

发明内容

描述一种设备。所述设备可包含非易失性存储器；易失性存储器，其被配置成用作所述非易失性存储器的高速缓存器；和接口控制器，其与所述非易失性存储器和所述易失性存储器耦合。所述接口控制器可为可操作的以致使所述设备进行以下操作：从主机装置接收指示所述设备将从一电力状态转变的命令，在所述电力状态中，所述设备在用于所述易失性存储器的电力模式中操作所述易失性存储器并且在用于所述非易失性存储器的电力模式中操作所述非易失性存储器；至少部分地基于所述命令，使所述易失性存储器从用于所述易失性存储器的所述电力模式转变到用于所述易失性存储器的空闲电力模式，所述空闲电力模式与用于所述易失性存储器的所述电力模式相比消耗更多电力；和至少部分地基于所述命令，使所述非易失性存储器从用于所述非易失性存储器的所述电力模式转变到用于所述非易失性存储器的第一空闲电力模式，所述第一空闲电力模式与用于所述易失性存储器的所述电力模式相比消耗更多电力且与用于所述非易失性存储器的第二空闲电力模式相比消耗较少电力。