[发明专利]OLED显示面板及其制作方法在审
申请号: | 202210272468.0 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114639710A | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 张良芬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
TFT背板,所述TFT背板中最顶层的结构层为源漏极层,所述源漏极层包括间隔设置的源极、漏极、第一辅助电极以及第二辅助电极;
第一导电层,设于在所述TFT背板上,所述第一导电层包括第三辅助电极,所述第三辅助电极覆盖于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极上,并且使所述第一辅助电极与所述第二辅助电极电性连接;
钝化层,设于所述TFT背板上并覆盖所述源漏极层和所述第一导电层,所述钝化层上设有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔对应于所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间的间隔区域设置,所述第二通孔对应于所述源极设置;
平坦层,设于所述钝化层上远离所述TFT背板的一侧,所述平坦层上设有第三通孔和第四通孔,所述第三通孔与所述第一通孔相互贯通,所述第四通孔与所述第二通孔相互贯通,在从所述第一辅助电极至所述第二辅助电极的方向上,所述第一通孔上至少靠近所述第三辅助电极的一端的宽度大于所述第三通孔的宽度;
阳极,设于所述平坦层上,所述阳极经由所述第四通孔和所述第二通孔与所述源极电性连接;
像素定义层,设于所述平坦层上,所述像素定义层设有开口和第六通孔,所述第六通孔与所述第三通孔对应设置,所述开口暴露出所述阳极;
第一发光层,设于所述像素定义层上,所述第一发光层上对应于所述开口的部分覆盖于所述阳极上;
第二发光层,设于所述第三辅助电极上;
第一阴极,设于所述第一发光层上;
第二阴极,设于所述第二发光层上,所述第一阴极与所述第二阴极连接,所述第二阴极覆盖所述第二发光层并且与所述第三辅助电极接触。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一辅助电极与所述第二辅助电极相互平行。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第六通孔的横剖面面积大于所述第三通孔的横剖面面积。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一导电层还包括与所述第三辅助电极间隔设置的保护层,所述保护层设置于所述源极上方,所述保护层的两侧分别电性连接所述源极和所述阳极。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的OLED显示面板,其特征在于,所述TFT背板包括依次层叠设置的衬底基板、缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间介电层以及源漏极层,其中,所述半导体层包括有源层,所述有源层对应于所述栅极设置,所述有源层包括沟道区以及设于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区,所述层间介电层上设有第七通孔和第八通孔,所述源极经由所述第七通孔与所述有源层的源极接触区连接,所述漏极经由所述第八通孔与所述有源层的漏极接触区连接。
6.根据权利要求5所述的OLED显示面板,其特征在于,所述半导体层还包括与所述有源层间隔设置的第一存储电容电极;所述衬底基板与所述缓冲层之间设有遮光层,所述遮光层与所述有源层和所述第一存储电容电极对应设置,所述遮光层和所述第一存储电容电极之间形成存储电容。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板上定义有驱动TFT区、发光区和辅助电极区,其中,所述源极、所述漏极、所述栅极、所述有源层均设于所述驱动TFT区内,所述像素定义层上的所述开口和所述第一存储电容电极均设于所述发光区内,所述第一辅助电极、所述第二辅助电极和所述第三辅助电极均设于所述辅助电极区内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的