[发明专利]在晶片上生长外延层的方法

权利要求书

1.一种在晶片上生长外延层的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)将至少一个晶片引入处理腔室中；

(b)在使用升降杆支撑所述晶片的同时将所述晶片装载到与基座邻近的区域；

(c)预加热所述晶片；以及

(d)将所述晶片放入所述基座的袋中并加热所述晶片，以在所述晶片上沉积外延层，

其中，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述基座上方的第一灯的输出和所述基座下方的第二灯的输出被设置为与所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第一灯的输出和所述第二灯的输出不同。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第一灯的输出和所述第二灯的输出之和被设置为大于所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第一灯的输出和所述第二灯的输出之和。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一灯包括中心区域中的第一-1灯和边缘区域中的第一-2灯，并且所述第二灯包括中心区域中的第二-1灯和边缘区域中的第二-2灯，并且

其中，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第一-1灯的输出比被设置为与所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第一-1灯的输出比相同。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)至所述步骤(d)中的所述第一-1灯的所述输出比被设置为48％到86％。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一灯包括中心区域中的第一-1灯和边缘区域中的第一-2灯，并且所述第二灯包括中心区域中的第二-1灯和边缘区域中的第二-2灯，并且

其中，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第二灯的输出比被设置为与所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第二灯的输出比不同。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第二灯的所述输出比被设置为30％到90％，并且所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第二灯的所述输出比被设置为50％到62％。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一灯包括中心区域中的第一-1灯和边缘区域中的第一-2灯，并且所述第二灯包括中心区域中的第二-1灯和边缘区域中的第二-2灯，并且

其中，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第二-1灯的输出比被设置为与所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第二-1灯的输出比不同。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤(a)和所述步骤(b)中的所述第二-1灯的输出比被设置为11.5％到21％，并且所述步骤(c)和所述步骤(d)中的所述第二-1灯的输出比被设置为11.5％到25％。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤(a)至所述步骤(d)中通过所述处理腔室的晶片可视区域观察所述晶片的翘曲。