[发明专利]二维半导体材料的转移方法

权利要求书

1.一种二维半导体材料的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、在生长衬底上沉积二维半导体材料，得到二维半导体材料/生长衬底结构；

步骤2、在二维半导体材料/生长衬底表面旋涂PMMA，并将旋涂好PMMA的生长衬底放置在热板上加热固化，固化后的PMMA在生长衬底表面凝结为一层薄膜，即PMMA固化胶层，由此得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构；

步骤3、保持转移环境湿度在50％RH以上，在显微镜下观察PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构，确定需要进行转移的目标区域，将该区域的PMMA固化胶层与其他区域分割开，然后用镊子将目标区域的PMMA固化胶层/二维半导体材料两层结构从生长衬底夹起、并直接贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构；

步骤4、将PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构在室温下静置一定时间，然后放置在常温丙酮溶液中浸泡，以去除表面的PMMA固化胶层，最后将浸泡后的PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构放入异丙醇中浸泡5min，去除残留的丙酮溶液；最后再用氮气枪吹干，得到二维半导体材料/目标衬底的双层结构，完成二维半导体材料的转移。

2.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述步骤2中，所述在二维半导体材料/生长衬底表面旋涂PMMA，其中PMMA规格为200k，旋转速度设置为1000-1200r/min，旋转时间为1-5min。

3.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述将旋涂好PMMA的生长衬底放置在热板上加热固化，其中的加热温度为80±10℃，加热时间为3-5min。

4.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述PMMA固化胶层的厚度为500-900nm。

5.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述的二维半导体材料包括MoS₂、WS₂、MoSe₂中的一种，所述的生长衬底包括SiO₂/Si、HfO₂/Si、钠钙玻璃中的一种。

6.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述步骤3中，转移环境为超净间百级区，空气中每立方米0.5μm的灰尘颗粒小于100万个。

7.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述步骤3中，转移过程使用的镊子为尖嘴防静电镊子。

8.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述步骤4中，室温下静置时间为8-16h。

9.根据权利要求1所述的二维半导体材料的转移方法，其特征在于，所述步骤4中，在常温丙酮溶液中浸泡时间为1-5h；在异丙醇中浸泡时间为1-30min。