[发明专利]具有过电流保护电路的负载控制装置

权利要求书

1.一种调光器开关，用于控制从交流AC电源递送到照明负载的电力，所述调光器开关包括：

可控导电装置，所述可控导电装置适于联接在所述AC电源与所述照明负载之间以传导负载电流通过电力负载来控制递送到所述照明负载的电力的量和照明负载的强度；

控制电路，所述控制电路被配置成使用正向相位控制调光技术来控制所述可控导电装置以调整照明负载的强度，所述控制电路被配置成在所述AC电源的每个半周期开始时将所述可控导电装置控制为非导电的并且在每个半周期期间在触发时间处使所述可控导电装置为导电的；以及

过电流保护电路，所述过电流保护电路联接到所述可控导电装置并且被配置成在所述可控导电装置中出现过电流条件时使所述可控导电装置为非导电的；

其中所述过电流保护电路被配置为接收启用控制信号，用于在所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路并且在每个半周期期间在使所述可控导电装置为导电的所述触发时间之后启用所述过电流保护电路。

2.如权利要求1所述的调光器开关，其中所述可控导电装置包括按反串联连接电联接的第一场效应晶体管FET和第二场效应晶体管FET。

3.如权利要求2所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：

第一栅极驱动电路，所述第一栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第一驱动信号并且在所述第一FET的栅极处产生第一栅极电压；以及

第二栅极驱动电路，所述第二栅极驱动电路被联接以从所述控制电路接收第二驱动信号并且在所述第二FET的栅极处产生第二栅极电压。

4.如权利要求3所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：

超控电路，所述超控电路被配置成产生所述启用控制信号，所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。

5.如权利要求4所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成从所述控制电路接收所述驱动信号并且在所述FET中的至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电时停用所述过电流保护电路。

6.如权利要求5所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的至少一者被控制为导电的以使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。

7.如权利要求6所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从所述FET中的所述至少一者被控制为非导电的以使所述可控导电装置为非导电的时间开始的第二延迟时段之后停用所述过电流保护电路。

8.如权利要求3所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路联接到所述第一FET和所述第二FET的栅极以在出现所述过电流条件时将相应的栅极电压的量值控制为约零伏而使所述FET为非导电的。

9.如权利要求2所述的调光器开关，其中所述过电流保护电路联接在FET的串联组合的两端并且被配置成响应于FET的串联组合的两端产生的电压而检测所述过电流条件。

10.如权利要求9所述的调光器开关，其中所述FET的两端产生的电压的量值代表所述负载电流的量值。

11.如权利要求9所述的调光器开关，其中所述FET的串联组合的两端产生的电压的量值取决于所述FET中的每一者的相应导通电阻。

12.如权利要求1所述的调光器开关，所述调光器开关还包括：

超控电路，所述超控电路被配置成产生所述启用控制信号，所述启用控制信号被所述过电流保护电路接收以用于启用和停用所述过电流保护电路。

13.如权利要求12所述的调光器开关，其中所述超控电路被配置成在每个半周期期间在从使所述可控导电装置为导电的所述触发时间开始的第一延迟时段之后启用所述过电流保护电路。