[发明专利]提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置有效
申请号: | 202210275458.2 | 申请日: | 2022-03-21 |
公开(公告)号: | CN114361157B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 蔡水河;吴坤泰 | 申请(专利权)人: | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 驱动 装置 静电 放电 能力 方法 | ||
本发明公开了一种提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置,驱动装置包含电路基板以及驱动晶片;电路基板包括晶片设置区、连接至一电源端的一第一传输路径以及连接至一地端的一第二传输路径;驱动晶片包括多个连接垫以及分别耦接至多个连接垫的多个静电放电电路;多个连接垫分别耦接至该晶片设置区上对应之多个设置垫;其中,一第一静电放电路径将多个静电放电电路之正端连接至该电源端;其中,该第一传输路径与该第一静电放电路径并联设置。该驱动装置具有在不增加驱动晶片本体的抗静电/静电放电能力的情况下,提升驱动装置整体的抗静电/静电放电能力的优点。
技术领域
本发明属于晶片驱动装置技术领域,具体涉及一种提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置。
背景技术
静电保护能力对于提升产品的安全性及耐用度都是相当重要的指标之一。在例如显示器的领域中,作为连接玻璃基板以及主电路板桥梁的驱动装置上的驱动晶片非常容易受到静电(例如,来自生产线环境、组装过程或使用环境)的影响而损坏。因此,驱动晶片中通常会设置静电保护电路来保护驱动晶片。然而,随着驱动晶片的输出/输入数量的增加,所需要的静电保护电路的面积也会随之增加(例如,晶片内布线的线宽增加导致面积增加),进而增加了驱动晶片成本。
因此,如何在驱动晶片的输入/输出日益增加的情况中,控制花费在静电保护上的成本将会是本领域所要发展的重大课题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明提出一种提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置,该驱动装置具有在不增加驱动晶片本体的抗静电/静电放电能力的情况下,提升驱动装置整体的抗静电/静电放电能力的优点。
根据本发明实施例的驱动装置,包含:一电路基板,包括:一晶片设置区;以及连接至一电源端的一第一传输路径;以及一驱动晶片,包括:多个连接垫,分别耦接至该晶片设置区上对应之多个设置垫;以及多个静电放电电路,分别耦接至多个连接垫;其中,一第一静电放电路径将多个静电放电电路之正端连接至该电源端;其中,该第一传输路径与该第一静电放电路径并联设置。
根据本发明一个实施例,该电路基板还包括连接至一地端的一第二传输路径;并且该驱动晶片还包括将多个静电放电电路之负端连接至该地端的一第二静电放电路径;该第二传输路径与该第二静电放电路径并联设置。
根据本发明一个实施例,该第一传输路径的阻抗小于该第一静电放电路径的阻抗,并且该第二传输路径的阻抗小于该第二静电放电路径的阻抗。
根据本发明一个实施例,该电路基板为软性电路板。
根据本发明一个实施例,当静电发生于多个静电放电电路中任一者上时,静电电流经由该第一传输路径与该第一静电放电路径的至少一部分流入一静电保护电路后,再经一地端流出。
根据本发明一个实施例,该驱动晶片还包括多个放电连接垫,分别连接多个静电放电电路之正端;多个放电连接垫分别连接至该第一传输路径。
根据本发明一个实施例,一种提升驱动装置静电放电能力的方法,其特征在于,包含:
设置一驱动晶片至一电路基板的一晶片设置区上,其中该驱动晶片具有分别耦接至该晶片设置区上之多个设置垫的多个连接垫,以及分别耦接至多个连接垫的多个静电放电电路;
电路基板上形成连接至一电源端的一第一传输路径以及连接至一地端的一第二传输路径;
该驱动晶片中具有将多个静电放电电路之正端连接至该电源端的一第一静电放电路径,将该第一传输路径与一第一静电放电路径并联设置;以及
该驱动晶片中具有将多个静电放电电路之负端连接至该地端的一第二静电放电路径,将该第二传输路径与一第二静电放电路径并联设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的