[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210276200.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114975258A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 游力蓁;张家豪;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：
接收一基底，其具有一前表面与一背表面；
在该基底形成一第一介电材料的一隔离部件，借此定义被该隔离部件围绕的一主动区；
在该主动区上形成一栅极堆叠物；
在该主动区上形成一第一源极/漏极部件与一第二源极/漏极部件，其中该栅极堆叠物从该第一源极/漏极部件横跨至该第二源极/漏极部件；
从该前表面形成一互连结构于该栅极堆叠物上、该第一源极/漏极部件上与该第二源极/漏极部件上，其中该互连结构包括一前接触部件，该前接触部件接触该第一源极/漏极部件；
从该背表面将该基底打薄，而暴露出该隔离部件；
选择性蚀刻该主动区，因此得到被该隔离部件围绕的一沟槽，其中该第二源极/漏极部件暴露于该沟槽内；
在该沟槽形成一第二介电材料的一衬垫层，该第二介电材料与该隔离部件的该第一介电材料不同；
形成一背侧导孔部件，其落在该沟槽内的该第二源极/漏极部件上；以及
形成一背侧金属线，其落在该背侧导孔部件上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
