[发明专利]一种数据处理方法、系统、装置及介质在审
申请号: | 202210276205.7 | 申请日: | 2022-03-21 |
公开(公告)号: | CN114758699A | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 徐方磊;虞志益;陈伟冲;赵贵华 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 余凯欢 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据处理 方法 系统 装置 介质 | ||
1.一种数据处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取传感器信号,将所述传感器信号发送至SRAM阵列的读位线,所述传感器信号为输入特征图的像素点,进行二值化处理所转换得到的电压信号;
确定所述读位线的电压值稳定,开启SRAM阵列的读字线;
获取所述读字线中传感器信号的权重值,获取所述读位线中的传感器信号,根据所述权重值与所述传感器信号进行乘法操作,得到第一输出电压输出至共享位线;所述第一输出电压为输出特征图中像素点的电压信号;
将所述第一输出电压进行转换得到第二输出数据,将所述第二输出数据得到卷积运算结果。
2.根据权利要求1所述的一种数据处理方法,其特征在于,所述读位线包括第一读位线和第二读位线,所述获取所述读字线中传感器信号的权重值,获取所述读位线中的传感器信号,根据所述权重值与所述传感器信号进行乘法操作,得到第一输出电压输出至共享位线,包括:
确定所述权重值为第一数值,第一晶体管截止,第二晶体管导通,将所述第一读位线中的传感器信号发送至所述共享位线;
确定所述权重值为第二数值,第一晶体管导通,第二晶体管截止,将所述第二读位线中的传感器信号发送至所述共享位线;
确定所述权重值为第三数值,第一晶体管截止,第二晶体管截止,将所述第一读位线和第二读位线中的传感器信号均发送至所述共享位线。
3.根据权利要求2所述的一种数据处理方法,其特征在于,所述将所述第一输出电压进行转换得到第二输出数据,将所述第二输出数据得到卷积运算结果这一步骤,包括:
将所述第一共享位线中的第二输出数据与所述第二共享位线中的第二输出数据相减得到所述卷积运算结果。
4.根据权利要求3所述的一种数据处理方法,其特征在于,所述数据处理方法还包括以下步骤:
将通过所述乘法操作得到的且数值为正的第一输出电压存储至第一电容;
将通过所述乘法操作得到的且数值为负的第一输出电压存储至第二电容。
5.根据权利要求1所述的一种数据处理方法,其特征在于,所述卷积运算结果满足以下公式:
其中,所述OUT为卷积运算结果,Wi为权重值,Vi为传感器信号的电压值,n为SRAM阵列的数量,i=1,2,3,…,N,N为正整数。
6.一种数据处理系统,其特征在于,所述系统包括:
传感器存储阵列,用于获取传感器信号,将所述传感器信号发送至SRAM阵列的读位线;
所述传感器信号为输入特征图的像素点,进行二值化处理所转换得到的电压信号;
读出计算电路,用于确定所述读位线的电压值稳定,开启SRAM阵列的读字线;并获取所述读字线中传感器信号的权重值,获取所述读位线中的传感器信号,根据所述权重值与所述传感器信号进行乘法操作,得到第一输出电压输出至共享位线;所述第一输出电压为输出特征图中像素点的电压信号;
模数转换电路,用于将所述第一输出电压进行转换得到第二输出数据,将所述第二输出数据进行相减得到卷积运算结果。
7.根据权利要求6所述的一种数据处理系统,其特征在于,所述传感器存储阵列为三值静态随机存取存储器;所述三值静态随机存取存储器包括第一三进制反相器,第二三进制反相器,第一三进制反相器的输出端连接至所述第二三进制反相器的输入端;所述第二三进制反相器输出端连接至所述第一三进制反相器的输入端。
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