[发明专利]多结光伏装置在审
申请号: | 202210276217.X | 申请日: | 2016-06-10 |
公开(公告)号: | CN114613805A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | A·罗宾逊;C·凯斯;D·柯克;E·克罗斯兰;J·瓦茨;N·博蒙特;P·巴特勒;S·胡珀 | 申请(专利权)人: | 牛津光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多结光伏 装置 | ||
1.一种多结光伏装置,其产生超过单结布置中的底部硅子电池的效率的功率转换效率的净增益,所述装置包括:
布置在第二子电池上方的第一子电池,
其中,所述第一子电池包括包含至少一个n型层的n型区域、包含至少一个p型层的p型区域以及包含没有开孔孔隙度的钙钛矿材料层的光敏区域,所述光敏区域设置在所述n型区域和所述p型区域之间,并且与所述n型区域和所述p型区域中的一者或两者形成平面异质结;
其中,所述钙钛矿材料具有通式(IA):
AxA’1-xB(XyX’1-y)3 (IA)
其中,A包括选自甲基铵阳离子(MA)(CH3NH3+)、甲脒阳离子(FA)(HC(NH2)2+)和乙基铵阳离子(EA)(CH3CH2NH3+)的一种或多种有机阳离子,A
其中,所述第二子电池包括硅异质结(SHJ)。
2.根据权利要求1所述的多结光伏装置,其中,A包括选自甲脒(FA)和乙基铵(EA)的一种或多种有机阳离子。
3.根据权利要求1或2所述的多结光伏装置,其中,A
4.根据前述权利要求中任一项所述的多结光伏装置,其中,0x1。
5.根据前述权利要求中任一项所述的多结光伏装置,其中,所述钙钛矿材料层被设置为与所述第二子电池的相邻表面共形的表面上的基本连续的共形层。
6.根据前述权利要求中任一项所述的多结光伏装置,还包括设置在所述第一子电池和所述第二子电池之间并且连接所述第一子电池和所述第二子电池的中间区域,其中,所述中间区域包括一个或多个互连层。
7.根据权利要求6所述的多结光伏装置,其中,所述一个或多个互连层中的每一个包括透明导体材料。
8.根据权利要求6至7中任一项所述的多结光伏装置,其中,所述中间区域包括由氧化铟锡(ITO)组成的互连层。
9.根据权利要求8所述的多结光伏装置,其中,所述ITO层具有10nm至60nm的厚度。
10.根据前述权利要求中任一项所述的多结光伏装置,其中,所述n型区域包括包含无机n型材料的n型层。
11.根据权利要求10所述的多结光伏装置,其中,所述无机n型材料选自以下中的任一种:
钛、锡、锌、铌、钽、钨、铟、镓、钕、钯、镉的氧化物,或所述金属中的两种或更多种的混合物的氧化物;
镉、锡、铜、锌的硫化物,或所述金属中的两种或更多种的混合物的硫化物;
镉、锌、铟、镓的硒化物,或所述金属中的两种或更多种的混合物的硒化物;以及
镉、锌、镉或锡的碲化物,或所述金属中的两种或更多种的混合物的碲化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的