[发明专利]紫外光探测器及制备方法在审
| 申请号： | 202210276225.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114864732A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;王思杰;任羿烜;令康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0336;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
1.紫外光探测器，其特征在于，包括设置于蓝宝石衬底上表面的NiO层，在NiO层的上表面设置有异质结区域和电极区；在异质结区域，由ZnGa2O4薄膜和NiO构成异质结，且ZnGa2O4薄膜上设置有电极；在电极区，设置有与NiO层直接连接的电极。
2.紫外光探测器制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
(S1)使用NiO靶材，利用射频磁控溅射方法在c面蓝宝石(0001)衬底的表面依次生长NiO薄膜和ZnGa2O4薄膜；
(S2)在NiO薄膜和ZnGa2O4薄膜上生长Au/Ti电极。
3.如权利要求2所述的紫外光探测器制备方法，其特征在于，
所述步骤(S1)包括：
(S1a)NiO薄膜生长：环境压强小于10-4Pa，衬底温度100℃～200℃，然后通入氩气和氧气使溅射压强为1.5Pa～2.0Pa，掩模下c面蓝宝石衬底上生长NiO薄膜，然后冷却到室温；
(S1b)ZnGa2O4薄膜生长：环境压强小于10-4Pa，衬底温度100℃～200℃，然后通入氩气和氧气使溅射压强为3Pa～3.5Pa，掩模下生长ZnGa2O4薄膜。
4.如权利要求3所述的紫外光探测器制备方法，其特征在于，
所述步骤(S1a)中，控制氩气流量20sccm,氧气流量10sccm；
所述步骤(S1a)中，控制氩气流量20sccm，氧气流量1sccm。
5.如权利要求3所述的紫外光探测器制备方法，其特征在于，
所述步骤(S1a)中，环境压强6×10-4Pa，衬底温度100度，溅射压强1.5Pa～2.0Pa，
所述步骤(S1a)中，环境压强6×10-4Pa，衬底温度100度，溅射压强为3.5Pa。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
