[发明专利]晶片的贴合方法在审
| 申请号： | 202210276546.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115132647A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 贴合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片的贴合方法，使第1晶片与第2晶片贴合，其中，
该晶片的贴合方法具有如下的工序：
冷却工序，对第1晶片进行冷却；
贴合工序，当在冷却后的该第1晶片的面上产生结露时，将第2晶片层叠地贴合在该第1晶片的面上，生成贴合晶片；以及
热处理工序，对该贴合晶片实施热处理。
2.根据权利要求1所述的晶片的贴合方法，其中，
该第1晶片和该第2晶片是硅晶片。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的贴合方法，其中，
在该热处理工序中，在1000℃～1100℃的温度下对该贴合晶片实施热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科，未经株式会社迪思科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210276546.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：梅酒或含梅酒饮料
- 下一篇：液体喷射头以及液体喷射装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
