[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体衬底，其具有上表面和下表面，该半导体衬底包含在所述上表面与所述下表面之间设置的第1导电型的漂移层；

第2导电型的基极层，其设置于所述半导体衬底中的所述漂移层的所述上表面侧；

第2导电型的接触层，其选择性地设置于所述半导体衬底中的所述漂移层或所述基极层的所述上表面侧，杂质浓度比所述基极层高；

第1导电型的源极层，其选择性地设置于所述半导体衬底中的所述基极层的所述上表面侧，杂质浓度比所述漂移层高；

栅极部，其隔着第1栅极绝缘膜而设置于与所述接触层、所述源极层、所述基极层及所述漂移层接触的第1沟槽内，与栅极电极电连接，所述栅极部设置有底部比侧部更远离所述基极层的凹部；以及

第1绝缘部，其设置于所述第1沟槽内的所述栅极部的所述凹部内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极部包含：

第1栅极部分；以及

第2栅极部分，其在俯视观察时的所述第1沟槽的延伸方向上与所述第1栅极部分连接，与所述第1栅极部分相比向上方凸出，隔着所述第1栅极绝缘膜而与所述源极层相对，

所述第1栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述底部，

所述第2栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述侧部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述栅极部包含：

第1栅极部分；以及

第2栅极部分，其在俯视观察时的所述第1沟槽的延伸方向上与所述第1栅极部分连接，与所述第1栅极部分相比向侧方凸出，隔着所述第1栅极绝缘膜而与所述源极层相对，

所述第1栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述底部，

所述第2栅极部分包含所述栅极部的所述凹部的所述侧部。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

还具有：载流子积蓄层，其设置于所述基极层与所述漂移层之间，

所述第1栅极部分的上部位于比所述载流子积蓄层的上部更靠下方处。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述第1栅极部分的上部位于比所述载流子积蓄层的下部更靠下方处。

6.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述第2栅极部分隔着所述第1栅极绝缘膜而与所述接触层相对，

在沿俯视观察时的所述第1沟槽的延伸方向，将所述接触层的长度设为Zpk，将所述第1绝缘部的长度设为Zg的情况下，Zpk＞Zg的关系式成立。

7.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

所述第1绝缘部与所述源极层相对，

在沿着俯视观察时的所述第1沟槽的延伸方向，将所述接触层的长度设为Zpk，将所述第1绝缘部的长度设为Zg的情况下，Zpk＜Zg的关系式成立。

8.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

还具有：由多晶硅构成的哑部，其设置于所述第1沟槽内，与所述栅极部绝缘，与发射极电极电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述哑部通过所述第1绝缘部而与所述栅极部绝缘。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述哑部设置于所述栅极部的下方。

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

还具有：金属部，其设置于所述第1沟槽内，通过所述第1绝缘部而与所述栅极部绝缘，与发射极电极电连接。