[发明专利]一种用于人工晶体炉的晶体冷却装置

权利要求书

1.一种用于人工晶体炉的晶体冷却装置，包括上法兰（3）、下法兰（5）、晶体冷却管（7）和冷却介质通道，其特征是：在所述上法兰（3）与下法兰（5）之间设有复数个晶体冷却管（7），在晶体冷却管（7）的外围设有冷却介质通道，所述冷却介质通道的进口通过管道连接冷却源，冷却介质通道的出口通过管道连接冷却介质回收机构形成所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置。

2.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述下法兰（5）的下方设有冷却盘（25），所述冷却盘（25）的中部设有空腔（24），在所述空腔（24）内设有复数个固定柱（26），在每个固定柱（26）上分别设有晶体提拉孔（27），空腔（24）分别连通出水管（23）和进水管（28），所述出水管（23）和进水管（28）连通冷却介质通道。

3.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第一结构为在上法兰（3）与下法兰（5）之间设置连接筒（4），在所述连接筒（4）内设有复数个晶体冷却管（7），每个晶体冷却管（7）的上端分别连接设置在上法兰（3）上的晶体上穿孔（1），每个晶体冷却管（7）的下端分别连接设置在下法兰（5）上的晶体下穿孔（9），由连接筒（4）的内缘面与上法兰（3）下端面、下法兰（5）上端面之间的空腔形成冷却介质通道，在上法兰（3）上分别设有出水口（2）和进水口（6），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。

4.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第二结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）中部的进水腔（11），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）中部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述集水腔（16）通过回水管（14）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。

5.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第三结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），在每个套管（13）的上端头分别设有向下凹陷的半圆台阶（22），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）上部的进水腔（11），每个半圆台阶（22）的上端头分别连通设置在上法兰（3）下部的回水腔（20），每个套管（13）的下端头分别连通设置在下法兰（5）上部的集水腔（16），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）、回水腔（20）和集水腔（16）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述回水腔（20）通过连接管（19）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。

6.根据权利要求1所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述冷却介质通道设置的第四结构为在每个晶体冷却管（7）的外围分别套接套管（13），在每个套管（13）的上端头分别设有向下凹陷的半圆台阶（22），每个套管（13）的上端头分别连通设置在上法兰（3）上部的进水腔（11），每个半圆台阶（22）的上端头分别连通设置在上法兰（3）下部的回水腔（20），每个套管（13）的下端头分别连接下法兰（5），由套管（13）的内缘面与晶体冷却管（7）的外缘面之间的冷却腔（12）、进水腔（11）和回水腔（20）形成冷却介质通道，所述进水腔（11）连通进水口（6），所述回水腔（20）通过连接管（19）连接出水口（2），所述出水口（2）和进水口（6）分别形成冷却介质通道的进口和出口。

7.根据权利要求5或6任一权利要求所述的用于人工晶体炉的晶体冷却装置，其特征是：所述晶体冷却管（7）与套管（13）之间的冷却腔（12）内设有隔板（29）。