[发明专利]脉冲处理装置、脉冲处理方法、电子设备和存储介质

权利要求书

1.一种脉冲处理装置，包括：

第一脉冲模块，配置为提供第一脉冲；

第二脉冲模块，配置为提供第二脉冲；

输出端，配置为接收所述第一脉冲并输出以及接收所述第二脉冲并输出；

控制器，配置为控制所述第一脉冲模块在开孔阶段向所述输出端输出所述第一脉冲，控制所述第二脉冲模块在扩孔阶段向所述输出端输出所述第二脉冲，

其中，所述第一脉冲和所述第二脉冲用于对目标组织细胞进行不可逆电穿孔消融，所述第一脉冲具有用于在所述目标组织细胞上形成开孔的第一波形，所述第一波形用于在所述目标组织细胞的细胞膜上形成开孔，所述第二脉冲具有用于扩大所述开孔的孔径的第二波形，所述开孔在扩张到一定程度的情况下在所述目标组织细胞的细胞膜上形成不可逆的穿孔，从而实现对所述目标组织细胞的消融，所述第二波形的低频成分少于所述第一波形或者所述第二波形不包含低频成分，所述低频成分为在频域上频率低于预设频率阈值的成分，所述输出端先输出所述第一脉冲，在所述目标组织细胞上形成所需开孔之后，再输出所述第二脉冲，直至所述开孔实现不可逆的扩张。

2.根据权利要求1所述的脉冲处理装置，其中，所述第一波形包括矩形波或方波，所述第二波形包括正弦波。

3.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，所述第二脉冲的脉冲频率位于25kHz-200kHz范围内。

4.根据权利要求3所述的脉冲处理装置，其中，所述第二脉冲的脉冲频率位于40kHz-50kHz范围内。

5.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，所述控制器配置为：控制所述第一脉冲和所述第二脉冲按照预设顺序输出。

6.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，所述第一脉冲的幅值在-10kV～+10kV之间，所述第二脉冲的幅值在-10kV～+10kV之间。

7.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，所述控制器还配置为：

向所述第一脉冲模块发送第一控制指令使得所述第一脉冲模块在所述开孔阶段向所述输出端输出所述第一脉冲，以及向所述第二脉冲模块发送第二控制指令使得所述第二脉冲模块在所述扩孔阶段向所述输出端输出所述第二脉冲。

8.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，

所述第一脉冲模块还配置为：产生包含方波的第一初始脉冲，并将所述第一初始脉冲变换为所述第一脉冲；

所述第二脉冲模块还配置为：产生包含方波的第二初始脉冲，并将所述第二初始脉冲变换为所述第二脉冲，

其中，所述第二初始脉冲包含的方波的波形参数不同于所述第一初始脉冲包含的方波的波形参数。

9.根据权利要求8所述的脉冲处理装置，其中，所述第二脉冲模块包括：

运算放大器，配置为对所述第二初始脉冲进行运算放大处理，将所述第二初始脉冲中的方波变换成三角波；

积分电路，配置为将所述三角波变换成所述第二脉冲包含的正弦波。

10.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，

所述第二脉冲模块还配置为：产生包含正弦波的第三初始脉冲，并将所述第三初始脉冲调制为所述第二脉冲。

11.根据权利要求2所述的脉冲处理装置，其中，所述第二脉冲包括多组正弦波，每组正弦波包括至少一个周期的正弦波，每组正弦波之间间隔预定时长，在所述预定时长内不提供脉冲。

12.根据权利要求1或2所述的脉冲处理装置，其中，所述控制器进一步配置为：

获取与所述开孔阶段对应的第一时间段和与所述扩孔阶段对应的第二时间段；

在所述第一时间段内，控制所述第一脉冲模块将所述第一脉冲输出至所述输出端；

在所述第二时间段内，控制所述第二脉冲模块将所述第二脉冲输出至所述输出端。