[发明专利]一种二维金属纳米片及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种二维金属纳米片的制备方法，其特征在于包括：

将金属源前驱体、模板盐与溶剂混合，再将所述溶剂去除，制得中间产物；

以及，对所述中间产物进行退火处理，制得二维金属纳米片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：将金属源前驱体溶于溶剂，再与模板盐混合，之后于40～90℃下进行搅拌蒸发去除溶剂，制得所述中间产物。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于具体包括：在还原性气氛中，于350～600℃对所述中间产物进行CVD高温退火还原处理1～4h。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于包括：采用2～10℃/min的升温速率使所述CVD高温退火还原处理的温度升至350～600℃；

和/或，所述还原性气氛为惰性气体与H₂的混合气氛；优选的，所述惰性气体与H₂的流量比为200∶10～200∶40；优选的，所述惰性气体包括Ar。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属源前驱体包括Bi(NO₃)₃、BiCl₃、Na₂WO₄、偏钨酸铵、仲钨酸铵、乙酸锰中的任意一种或两种以上的组合，优选为Bi(NO₃)₃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述模板盐包括NaCl和/或KCl，优选为KCl；

和/或，所述溶剂包括丙酮、乙二醇、甘油中的任意一种或两种以上的组合，优选为丙酮。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属源前驱体与模板盐的质量比为1∶1000～1∶2000。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：在所述退火还原处理完成后，对所获产物进行去除模板盐和干燥处理；优选的，所述干燥处理的温度为50～80℃，时间为2～6h。

9.由权利要求1-8中任一项所述方法制备的二维金属纳米片，所述二维金属纳米片的厚度为小于10nm，横向尺寸大于10μm。

10.权利要求9所述的二维金属纳米片于制备储能材料、场效应晶体管或催化材料中的应用。