[发明专利]一种高密度、低损耗及高介电常数压电陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的化学通式为：Pb_xCa_eSb_yLa_1-x-e-y(Zr_wTi_vNb_1-w-v)O₃+m％Cr₂O₃+n％PbO。

2.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述化学通式中0.5x1，0e0.5，0y0.5，0La0.5。

3.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述化学通式中0w0.8，0v0.7。

4.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述化学通式中0m5，0n5。

5.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的包括以下组分Pb₃O₄,Sb₂O₃,La₂O₃,ZrO₂,TiO₂,Nb₂O₅,Cr₂O₃。

6.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的介电常数＞5500。

7.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的介电损耗≤1.2％。

8.根据权利要求1所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷，其特征在于：所述压电陶瓷的密度≥7.85。

9.权利要求1-8所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将Pb₃O₄,Sb₂O₃,La₂O₃,ZrO₂,TiO₂,Nb₂O₅,Cr₂O₃作为原料，按Pb_xCa_eSb_yLa_1-x-e-y(Zr_wTi_vNb_1-w-v)O₃+m％Cr₂O₃+n％PbO的配比混合均匀，在850℃-900℃下保温3-4小时后得到混合粉料；

步骤2：将Pb_xCa_eSb_yLa_1-x-e-y(Zr_wTi_vNb_1-w-v)O₃+m％Cr₂O₃+n％PbO混合粉料细磨2-4h，再加入0.4-0.8wt％的聚乙烯醇(PVA)粘结剂造粒，再压制成型；

步骤3：最后将成型后坯体于1120-1280℃下烧结3-5h，冷却后印刷银浆，最后对烧好银后的试样进行极化，即得成品。

10.根据权利要求9所述的高密度、低损耗及高介电常数的压电陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤2中细磨后粉体的粒径为1-2μm。