[发明专利]一种晶圆研磨头以及晶圆吸附方法

权利要求书

1.一种晶圆研磨头，其特征在于，所述晶圆研磨头包括研磨头本体以及环绕在研磨头本体外围的固定装置；

所述固定装置包括紧密设置的第一圆环和第二圆环；

所述研磨头本体、第一圆环与第二圆环保持同心；

所述研磨头本体上设置有第一气路以及第二气路；

所述第一圆环上均匀设置有通气凹槽；

所述通气凹槽与第二气路相通。

2.根据权利要求1所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述研磨头本体的形状包括圆柱体；

优选地，所述研磨头本体的直径为70-80mm；

优选地，所述研磨头本体的高度为65-70mm；

优选地，所述第一气路设置于研磨头本体的中心位置；

优选地，所述第二气路的数目为5个；

优选地，所述第二气路设置于第一气路的外围；

优选地，所述第一气路的深度与研磨头本体的高度相同；

优选地，所述第二气路的深度为30-40mm。

3.根据权利要求1或2所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述固定装置上均匀设置有贯穿固定装置的螺纹孔；

优选地，所述螺纹孔的数目为6-10个。

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第一圆环的外围设置有倒角；

优选地，所述第一圆环的厚度为25-35mm；

优选地，所述第一圆环的直径为200-205mm；

优选地，所述通气凹槽的数目为3-5个；

优选地，所述通气凹槽的深度与第一圆环的厚度相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二圆环的底面设置有环状凹槽；

优选地，所述环状凹槽的深度为1.2-1.6mm；

优选地，所述环状凹槽的宽度为1.6-1.8mm；

优选地，所述环状凹槽上均匀设置有螺纹孔。

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆研磨头，其特征在于，所述第二圆环的直径与第一圆环的直径相同；

优选地，所述第二圆环的厚度为15-25mm。

7.一种晶圆吸附方法，其特征在于，所述晶圆吸附方法采用权利要求1-6任一项所述的晶圆研磨头进行。

8.根据权利要求7所述的晶圆吸附方法，其特征在于，所述晶圆吸附方法包括如下步骤：

(1)将所述晶圆研磨头安装在LK机台上，所述晶圆研磨头的底部设置有吸附膜；

(2)采用晶圆研磨头向吸附膜施加压力，而后抽真空处理，使得晶圆吸附在吸附膜上，完成吸附。

9.根据权利要求8所述的晶圆吸附方法，其特征在于，步骤(2)所述施加压力处理包括：从中心区域向外均匀施加压力；

优选地，所述施加压力中压力为10-20psi。

10.根据权利要求8所述的晶圆吸附方法，其特征在于，步骤(2)所述抽真空处理的真空度为-0.3至-0.8MPa。