[发明专利]半导体封装件和制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一再分布结构；

第一管芯，位于所述第一再分布结构之上并电耦合到所述第一再分布结构；

第一贯穿过孔，位于所述第一再分布结构之上并电耦合到所述第一再分布结构；

绝缘层，沿着所述第一再分布结构、所述第一管芯以及所述第一贯穿过孔延伸；以及

密封剂，位于所述绝缘层之上，所述密封剂围绕所述第一贯穿过孔的一部分和所述第一管芯的一部分，其中，所述密封剂包括浓度范围为按体积计70％至约95％的导电填料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂具有大于40W/m·K的热导率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂的顶表面与所述第一贯穿过孔的顶表面和所述绝缘层的顶表面齐平，并且其中，所述密封剂的顶表面高于所述第一管芯的顶表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层沿着所述第一贯穿过孔的侧壁、所述第一再分布结构的顶表面以及所述第一管芯的顶表面和侧壁延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯通过氧化物对氧化物接合和金属对金属接合而接合到所述第一再分布结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一管芯通过导电连接件接合到所述第一再分布结构，其中，所述半导体器件还包括围绕所述导电连接件的第一底部填充物，并且其中，所述绝缘层沿着所述第一底部填充物的侧壁延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘层的厚度范围为10nm至100nm，并且其中，所述密封剂的热导率范围为40W/m·K至100W/m·K。

8.一种半导体器件，包括：

第一集成电路管芯；

正面再分布结构，位于所述第一集成电路管芯的正面上；

背面再分布结构，位于所述第一集成电路管芯的背面上；

模制化合物，所述模制化合物将所述第一集成电路管芯密封在所述正面再分布结构和所述背面再分布结构之间，所述模制化合物的热导率大于40W/m·K；

贯穿过孔，延伸穿过所述模制化合物，其中，所述贯穿过孔电耦合到所述正面再分布结构和所述背面再分布结构；以及

绝缘层，覆盖所述贯穿过孔的侧壁，其中，所述绝缘层将所述贯穿过孔与所述模制化合物分隔开。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述模制化合物包括选自铜(Cu)、硅(Si)、银(Ag)、金(Au)、铁(Fe)和钨(W)的导电颗粒，并且其中，所述模制化合物包括浓度范围为按体积计70％至95％的导电颗粒。

10.一种方法，包括：

在再分布结构之上形成贯穿过孔；

将半导体管芯接合到与所述贯穿过孔相邻的所述再分布结构；

在所述贯穿过孔、所述再分布结构和所述半导体管芯之上沉积绝缘层，其中，所述绝缘层将所述贯穿过孔、所述再分布结构和所述半导体管芯彼此电隔离；

通过将环氧树脂和导电填料进行混合来制备模制化合物，其中，所述导电填料以体积计占所述模制化合物的70％至95％；以及

在所述绝缘层之上沉积所述模制化合物，所述模制化合物被配置为从所述半导体管芯传导热量。