[发明专利]一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外光可降解的阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器为电极/介质/电极结构，该阻变存储器结构组成从上到下依次为顶电极、介电层、底电极和衬底；其中，顶电极为Cu，介电层为cPPA薄膜，底电极为ITO，衬底为石英片。

2.一种紫外光可降解的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）配置旋涂溶液：将（2-（4-甲氧基苯基）-4,6-双（三氯甲基）-S-三嗪）、聚邻苯二甲醛、二甘醇二苯甲酸酯和二氧六环按照质量体积比为（3~20）mg：（100~800）mg：（1~5）mg：（5~20）mL进行配置，并将其放入避光的容器中进行搅拌，直至聚邻苯二甲醛完全溶解，对其进行过滤，得到淡黄色透明溶液；

（2）处理涂有ITO的玻璃透明导电基板：将涂有ITO的玻璃透明导电基板依次放入甲苯、丙酮、乙醇和去离子水中连续超声处理进行清洁，清洁后吹干备用；

（3）旋涂：将步骤（1）得到的淡黄色透明溶液旋涂在ITO涂布的玻璃透明导电基板上，旋涂三层，再烘烤去除有机溶剂，得到cPPA薄膜/ITO玻璃导电基板；

（4）溅射处理：通过磁控溅射工艺将Cu电极沉积在cPPA薄膜/ITO玻璃导电基板上，其中，Cu电极厚度为200~700nm，得到如权利要求1所述紫外光可降解的阻变存储器Cu/cPPA/ITO。

3.根据权利要求2所述紫外光可降解的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，淡黄色透明溶液以6000-8000rpm的转速旋涂在ITO涂布的玻璃透明导电基板上，旋涂时间为30~60s。

4.根据权利要求2所述紫外光可降解的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中，溅射前，在cPPA薄膜/ITO玻璃导电基板上放置圆孔直径为150-300μm的掩膜板，采用纯度为99.99%的铜靶材，设置Ar气流量为50~70sccm，溅射压强为3~10mT，溅射功率为40~80W。

5.根据权利要求2所述紫外光可降解的阻变存储器的制备方法，其特征在于，采用365nm紫外光照射所述Cu/cPPA/ITO阻变存储器一段时间后，所述Cu/cPPA/ITO阻变存储器中cPPA薄膜发生降解使得该阻变存储器的存储功能失效。

6.根据权利要求5所述紫外光可降解的阻变存储器的制备方法，其特征在于，紫外光照度为1000lux，照射时间不超过1h。