[发明专利]一种低损耗YIG材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗YIG材料，其特征在于：材料结构式为Y_2.7Ca_0.3Fe_(4.7-x)Sn_0.3O₁₂，其中，0≤x≤0.325。

2.根据权利要求1所述的一种低损耗YIG材料，其特征在于：采用Sn⁴⁺离子取代八面体位的Fe³⁺以降低各向异性常数和铁磁共振线宽，同时，缺铁以降低八面体a位和四面体d位间的铁离子之间的电子转移，从而控制材料的介电损耗。

3.权利要求1所述的一种低损耗YIG材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)步骤1、预烧料的制备：

(1.1)以氧化铁、氧化钙、氧化钇、氧化锡为原料，按照Y_2.7Ca_0.3Fe_(4.7-x)Sn_0.3O₁₂、0≤x≤0.325的比例称取原料，然后置于尼龙罐中以去离子水为介质一次球磨6-9h；

(1.2)将步骤1.1得到的一次球磨料烘干、过筛后，在1200℃下预烧4-5h，随后随炉冷却至室温；

(2)步骤2、二次球磨：

将步骤1得到的预烧料置于尼龙罐中加入去离子水进行二次球磨6-8h，球磨完成后烘干；

(3)步骤3、成型，烧结：

(3.1)将步骤2得到的二次球磨料过筛后，加入10wt％的聚乙烯醇造粒，然后于10MPa压力下压制成型；

(3.2)将步骤3.1得到的样品置于烧结炉，先在1℃/min的升温速率下达到300℃，在300℃温度下保温2h，再在2℃/min的升温速率下达到1400℃，并保温5h，随后以2℃/min的降温速率下降到1200℃，最后随炉自然冷却至室温取出，即可得到所述YIG材料。

4.根据权利要求3所述的低损耗YIG材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1.1)中一次球磨的球磨时间为6h。

5.根据权利要求3所述的低损耗YIG材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1.2)中预烧温度为1200℃，保温时间为4h。