[发明专利]基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面及天线罩

权利要求书

1.一种基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，包括：自上而下依次层叠的圆二色性单元层、介质基板层和频率选择表面层；

所述圆二色性单元层包括多个单元，每个单元由2×2的圆二色性单元阵列组成，所述圆二色性单元阵列通过在超薄的二维手性单元中加载电阻膜实现；

所述介质基板层为低损耗的介质基板；

频率选择表面层为低通高阻型、高通低阻型或带通型频率选择表面；

圆二色性单元层、介质基板层和频率选择表面层通过胶膜粘接，形成吸透一体化频率选择表面。

2.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述2×2的圆二色性单元阵列中的四个圆二色性单元为同一种手性的圆二色性单元，四个圆二色性单元的面内方位角度分别为θ₁，θ₂，θ₃，θ₄，通过调控四个面内方位角度调节吸波性能。

3.如权利要求2所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述四个面内方位角度θ₁＝0°，θ₂＝90°，θ₃＝180°，θ₄＝270°时，2×2的圆二色性单元阵列组成C4对称的单元结构。

4.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述圆二色性单元阵列中的圆二色性单元为加载电阻膜的双开口谐振环。

5.如权利要求4所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面天线罩，其特征在于，所述双开口谐振环的两个开口大小不同，电阻膜加载在双开口谐振环的一个开口处，两个开口相对于双开口谐振环环心的夹角为90度，电阻膜的方阻取值范围为40Ω/sq～500Ω/sq。

6.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述超薄的二维手性单元选用0.1mm的FR4介质，相对介电常数4.3，损耗角正切值0.025。

7.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述介质基板为轻质的PMI泡沫，厚度5mm，相对介电常数1.1，损耗角正切值0.001。

8.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述频率选择表面层采用低通高阻型频率选择表面，选用单层金属贴片阵列结构，其结构尺寸由工作频带决定。

9.如权利要求1所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面，其特征在于，所述频率选择表面层选用介质基板为低损耗的F4B介质，相对介电常数2.65，损耗角正切值0.001，其厚度取值范围介于0.25mm-5mm的范围内。

10.一种天线罩，采用如权利要求1-9任一权利要求所述的基于圆二色性的吸透一体化频率选择表面制成。