[发明专利]一种用于凸起结构共晶键合的焊料的制备方法在审
申请号: | 202210284363.7 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114792637A | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 王玮;杜建宇;陈浪;杨宇驰 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 张晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 凸起 结构 共晶键合 焊料 制备 方法 | ||
1.一种用于共晶键合的焊料的制备方法,其特征在于,包括:
提供基板,所述基板设置有凸起结构,所述凸起结构的顶表面为键合表面;
形成粘附层,使其覆盖所述凸起结构;
在所述粘附层上依次形成种子层和聚对二甲苯层;
去除所述键合表面上的所述聚对二甲苯层部分,从而使部分所述种子层暴露,形成窗口;以及
在所述窗口处通过电镀形成焊料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,通过磁控溅射或离子束蒸发工艺形成所述粘附层、所述种子层。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,还包括:
在形成所述种子层之后且在形成所述聚对二甲苯层之前,在所述种子层上形成金属阻挡层;以及
在去除所述聚对二甲苯层部分之后,去除所述键合表面上的所述金属阻挡层部分,从而使部分所述种子层暴露,形成窗口。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,
所述金属阻挡层为铝或钽;
通过溅射或离子束蒸发形成所述金属阻挡层;
使用腐蚀液去除所述金属阻挡层部分。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,通过化学气相沉积法形成所述聚对二甲苯层。
6.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,通过化学机械抛光去除所述键合表面上的所述聚对二甲苯层部分。
7.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,还包括:在形成所述焊料之后,去除剩余的聚对二甲苯层。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,通过干法刻蚀去除剩余的聚对二甲苯层。
9.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,设置有所述凸起结构的所述基板的制备方法包括:提供初始基板;以及光刻和刻蚀所述初始基板,从而得到具有所述凸起结构的所述基板。
10.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,
所述粘附层为钛或铬;
所述种子层为铜或金;
所述焊料为Cu、Sn、Pb、In、Au、Ag或Sb;
所述基板为硅晶圆、绝缘体上的硅晶圆、锗硅晶圆、锗晶圆、氮化镓晶圆、SiC晶圆、石英晶圆或蓝宝石晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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