[发明专利]一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法有效

专利信息
申请号: 202210285571.9 申请日: 2022-03-22
公开(公告)号: CN114695668B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 刘明侦;郑忠浩;李发明;弓爵 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H10K30/50 分类号: H10K30/50;H10K71/00;H10K30/15
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邓黎
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 表面 处理 提高 大面积 柔性 钙钛矿 太阳电池 性能 方法
【说明书】:

发明提供的一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法,属于太阳能电池技术领域,通过在PMAI有机卤素盐中引入TMTA,旋涂于3D有机无机杂化钙钛矿薄膜上后无需退火处理,可增大大阳离子与碘化铅结合的空间位阻,同时保护PMAI在制备过程中因外界环境与条件变化造成的不均匀低维结构生成,进而提高钙钛矿薄膜的表面稳定性和均一性,增加器件的可重复性;本发明所述方法可获得小面积柔性钙钛矿太阳能电池22.5%的效率,及大面积柔性钙钛矿太阳能电池超过19%的效率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及到一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法。

背景技术

能源一直是人类文明发展的重要推动力。太阳能电池是一种利用光伏效应将光能转化为电能的器件。2009年金属卤化物钙钛矿首次应用于太阳能电池,由于其通用性和易于制造,使光伏领域发生革命性变化。钙钛矿材料由于其合适的杨氏模量以及可低温制备的特点,从2013年以来开始应用于制作柔性钙钛矿太阳能电池,效率从2.62%提升至如今文献所报道的柔性钙钛矿太阳能电池已经超过21%,最高达到21.73%。以有机无机杂化钙钛矿作为吸收层的刚性钙钛矿太阳能电池的光电转换效率已超过25%,成为单节钙钛矿太阳能电池的最佳转换效率。在钙钛矿太阳能电池的制备工艺中,溶液旋涂法由于其方法简单、成本低廉的特点,被广泛应用于实验室小面积(1cm2)制备钙钛矿太阳能电池器件。对于柔性器件,由于其基底表面的高粗糙度以及不耐高温的特点,导致采用旋涂法制备的柔性钙钛矿太阳能电池的薄膜质量依然远落后于刚性太阳能电池,并且由于表面更粗糙使得在柔性基底上通过旋涂法沉积的钙钛矿薄膜更难保证完全覆盖以及均匀性,从而使得旋涂法制备大面积柔性钙钛矿相比于原本就有难度的刚性大面积器件更加困难。

为提升器件性能,现在更多的研究侧重于解决钙钛矿表面与晶界的缺陷态问题,研究表明,在钙钛矿的表面以及晶界处蛰伏着更多的深能级缺陷作为非辐射复合中心,影响着器件性能。针对这个问题,在表面构建2D/3D(二维/三维)异质结结构成为了大多数研究所青睐的表面处理方法,利用大阳离子溶液对碘化铅过量的钙钛矿表面进行后处理,形成的低维钙钛矿被验证能够改变界面处钙钛矿的能级结构,使得钙钛矿的能级与空穴传输层更加匹配,从而提升空穴的抽取能力,最终提升器件开路电压。虽然2D结构已广泛应用于各高效率钙钛矿太阳能电池的界面处理中,但是2D结构的形成也会导致一系列问题。一般采用有机卤素盐对钙钛矿上表面进行后处理,所形成的多样性结构显示出不同的低维结构形成能,而低维结构钙钛矿相比于三维结构的钙钛矿具有更宽的禁带宽度(≈2.4eV),更高的激子结合能(300-500meV)以及横向上更规则的有机骨架排布。这会导致传统2D/3D混合结构相比于纯3D结构的钙钛矿具有更窄的吸光窗口,更难实现电荷分离,电荷在纵向上的传输受到绝缘有机骨架阻碍从而导致器件效率损失。从实验中发现,常用的有机卤素盐例如苯乙基碘化胺(PEAI)、苯甲基碘化胺(PMAI)等在加热的条件下极易生成低维物质。虽然为了提高效率,实验中尽量避免对大阳离子进行退火处理,但是正是由于常见有机卤素盐在热、光等条件下的不稳定性,以及不均匀分解的特性,使得最后制备的柔性大面积器件难以维持高效率与稳定性。

因此,如何调控表面有机卤素大阳离子盐使之维持较为稳定且均匀的状态成为了柔性大面积钙钛矿太阳能电池器件亟需解决的一个问题。

发明内容

针对上述现有技术中存在的问题,本发明提供了一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法,有效抑制PMAI因外界面环境变化引发的低维钙钛矿结构转变,提升钙钛矿薄膜的均匀性,实现大面积高效率的柔性钙钛矿太阳能电池。

本发明具体技术方案如下:

一种表面处理提高大面积柔性钙钛矿太阳电池性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、在柔性基底上依次制备电子传输层和3D有机无机杂化钙钛矿薄膜;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210285571.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top