[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210285654.8 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975780A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一金属绝缘体金属电容器，其中上述金属绝缘体金属电容器包括：
多个电极，上述电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及
一或多个绝缘层，设置于相邻的上述电极之间；
其中：
上述金属绝缘体金属电容器设置于一层间介电层中，且上述层间介电层设置于一基板上方；
上述一或多个第一电极连接至一第一通孔电极的一侧壁，其中上述第一通孔电极设置于上述层间介电层中；以及
上述一或多个第二电极连接至一第二通孔电极的一侧壁，其中上述第二通孔电极设置于上述层间介电层中。
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