[发明专利]单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法

权利要求书

1.一种单晶炉的水冷热屏结构，其特征在于，包括：

单晶炉炉盖；在所述单晶炉炉盖上方的喉口处设置有充气法兰；所述充气法兰设置有气体进口；

与所述炉盖滑动配合的环状水冷热屏；

设置在所述环状水冷热屏内部的盘旋状气管；所述盘旋状气管的气体出口位于所述环状水冷热屏内部的屏体直壁段；所述盘旋状气管与所述环状水冷热屏的内壁存在间隙；

气体进入所述充气法兰，经过所述盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面。

2.根据权利要求1所述的水冷热屏结构，其特征在于，所述盘旋状气管为管式换热器。

3.一种单晶炉，包括权利要求1～2任意一项所述的水冷热屏结构。

4.一种利用单晶炉进行单晶硅生长的方法，包括以下步骤：

A)将晶硅原料置于单晶炉的石英坩埚内，在真空的条件下进行熔化；

所述单晶炉包括权利要求1～2任意一项所述的水冷热屏结构；

B)进行单晶硅的生长，在所述生长的过程中，通过启动环状水冷热屏的进水进行水冷却，通过向所述充气法兰通入气体，气体进入所述充气法兰，经过盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面，进行气体冷却。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤B)中，在单晶硅的生长过程中，晶体进入环状水冷热屏的屏体直壁段时，向所述充气法兰通入气体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤B)中，向所述充气法兰通入的气体为氩气。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤B)中，向所述充气法兰通入气体的气体流量控制在5～20slpm。