[发明专利]一种等离子体源以及半导体反应设备在审
申请号: | 202210287875.9 | 申请日: | 2022-03-22 |
公开(公告)号: | CN114783851A | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 项习飞;余先炜;田才忠;林保璋 | 申请(专利权)人: | 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司;盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/32 |
代理公司: | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人: | 陈果 |
地址: | 102600 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 以及 半导体 反应 设备 | ||
1.一种等离子体源,其特征在于,包括中央衬套以及多个线圈,多个所述线圈从所述中央衬套螺旋地延伸以围绕所述中央衬套,多个所述线圈上的相邻线圈曲线之间的间距被设置为由所述中央衬套向外部逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈关于所述中央衬套呈中心对称分布。
3.根据权利要求2所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈可均按照阿基米德螺旋曲线展开。
4.根据权利要求2所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈可均按照对数螺旋曲线展开。
5.根据权利要求4所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈可均按照黄金螺旋曲线展开。
6.根据权利要求3或4所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈被构造成相同形状。
7.根据权利要求1所述的等离子体源,其特征在于,多个所述线圈的第一端均连接至所述中央衬套,多个所述线圈的第二端均连接至外围衬套。
8.根据权利要求1所述的等离子体源,其特征在于,所述中央衬套由导电材料制成。
9.一种半导体反应设备,其特征在于,包括根据权利要求1至8中任一项所述的等离子体源。
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