[发明专利]一种分段式晶圆超薄片减薄方法

说明书

本发明涉及晶圆加工技术领域，且公开了一种分段式晶圆超薄片减薄方法，包括加工台、旋转设备、研磨设备和晶圆盘，所述旋转设备包括固定座和转盘，所述转盘的表面滑动连接有调节板，所述转盘的表面滑动连接有负压管，所述负压管的表面滑动连接有垫板，所述垫板的表面开设有贯穿的槽孔，所述槽孔与所述负压管相适配，通过采用从晶圆外圈向内的分段式加工的方式对晶圆的表面进行研磨加工，可减小晶圆表面受到的轴向作用力，同时采用多深度进给加工方式，并使研磨表面呈阶梯分布，降低晶圆研磨面受到的作用力，同时可利用未研磨面对正在加工的研磨面进行固定稳定保护，防止研磨面出现裂纹，防止晶圆断裂。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体为一种分段式晶圆超薄片减薄方法。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，在对晶圆进行制造加工时，需要对晶圆进行减薄加工，以使晶圆能够达到使用要求。

晶圆的减薄加工大多是通过打磨的方式完成的，现有晶圆减薄打磨的方式是利用打磨设备对晶圆的整体表面进行打磨处理，采用这种方式对晶圆进行打磨时，晶圆的表面会受到较大的周向作用力，由于晶圆本体较薄，当晶圆的表面受到的作用力较大时，可能会使晶圆的表面出现微裂缝，会影响晶圆加工的质量，严重时可能会造成晶圆断裂。

发明内容

为实现以上分段式晶圆超薄片减薄方法目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种分段式晶圆超薄片减薄方法，包括以下具体步骤：

S1、将晶圆固定在旋转设备中，利用研磨设备对晶圆的表面进行减薄加工；

S2、对晶圆边缘位置进行研磨减薄加工：

S201、从晶圆的外边缘位置进行第一表面研磨加工，研磨进给量为a，研磨深度为h1；

S202、从晶圆的外边缘位置进行第二表面研磨加工，研磨进给量为b，b小于a，研磨深度为h2；

S203、从晶圆的外边缘位置进行第n表面研磨加工，研磨进给量小于前一次的研磨进给量，研磨深度为hn；

S3、晶圆边缘位置研磨加工完成之后，从晶圆外侧向内部进行研磨加工：

S301、从晶圆第一表面外边缘位置对晶圆进行研磨加工，研磨进给量为d，研磨深度为h1；

S302、从晶圆第二表面外边缘位置对晶圆进行研磨加工，研磨进给量为d，研磨深度为h2；

S303、从晶圆第一表面外边缘位置对晶圆进行研磨加工，研磨进给量为d，研磨深度为hn；

S4、重复S3，直到晶圆的第一表面、第二表面一直到第n表面全部研磨加工完；

S5、利用抛光设备，对研磨之后的晶圆的表面进行抛光处理。

进一步的，在对所述晶圆进行研磨之前，利用腐蚀液对晶圆的表面进行预处理，去除晶圆表面的杂质，然后对晶圆的表面进行清洗。

进一步的，所述腐蚀液为酸性溶液。

进一步的，所述晶圆研磨加工的每个表面的研磨深度相同，研磨深度均为h，所述晶圆表面深度方向的研磨加工次数不少于两次。

进一步的，研磨设备和抛光设备中设有处理液，在对晶圆表面进行研磨和抛光加工时，利用处理液对晶圆表面的硅屑进行处理，并对晶圆的表面进行降温，所述处理液为去离子水。