[发明专利]一种晶圆清洗方法及装置有效
| 申请号： | 202210290100.7 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114388350B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 宋林杰;刘天建;曹瑞霞;王逸群 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;B08B3/02;B08B7/00;B08B13/00 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 王珣珏;张彩锦 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 装置 | ||
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向所述真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理所述晶圆表面的颗粒物；
S2、保持所述真空腔室的真空环境，向其中通入水蒸气以清洗所述晶圆表面的激光保护胶；
S3、保持所述真空腔室的真空环境，将氧化性气体电离形成的等离子体通入其中以清洗所述晶圆表面的聚合物；
S4、保持所述真空腔室的真空环境，将还原性气体电离形成的等离子体通入其中以还原所述晶圆表面的氧化铜。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：步骤S1中，所述真空腔室的真空度为50mTorr~150mTorr，通入所述氮气或惰性气体的气体流量为50sccm~100sccm，清洗时间为5min~10min。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：步骤S2中，所述真空腔室的真空度为50mTorr~150mTorr，通入所述水蒸气的气体流量为50sccm~100sccm，清洗时间为5min~10min。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：步骤S3中，所述氧化性气体为氧气和氮气的混合气体。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述氧化性气体中的氧气体积分数为10%~30%。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：步骤S4中，所述还原性气体为氢气和氮气的混合气体或者氨气和氮气的混合气体。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气和氮气的混合气体，其中氢气的体积分数小于5%。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中，所述真空腔室的真空度为100mTorr~200mTorr，通入等离子体的流量为50sccm~150sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
