[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
申请号: | 202210292216.4 | 申请日: | 2022-03-24 |
公开(公告)号: | CN114388548A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 都智;马忠祥;龚柏铧;谢荣源 | 申请(专利权)人: | 晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种图像传感器的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底上方依次形成有像素单元和覆盖所述像素单元的层间介质层,所述层间介质层的表面形成有金属层,所述金属层在所述基底上的投影与所述像素单元不重合;
形成覆盖所述层间介质层和所述金属层的保护层;
刻蚀所述保护层和所述层间介质层,形成位于所述像素单元上方的沟槽。
2.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成所述沟槽之后还包括:
依次形成覆盖所述沟槽侧壁的第一膜层和第二膜层,所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。
3.如权利要求2所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,所述第二膜层的折射率范围为包含端点值2.0~2.5,所述第一膜层的折射率范围为包含端点值1.2~1.5。
4.如权利要求2所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,所述第二膜层包括氧化钛膜、氧化钨膜或硫化锌膜中的至少一种;所述第一膜层包括氮化硅膜。
5.如权利要求2所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,所述第一膜层还覆盖所述沟槽的底面以及所述保护层的顶表面。
6.如权利要求2所述的图像传感器的制作方法,其特征在于,形成所述第二膜层具体包括:
先采用溅射或沉积工艺形成所述第二膜层,所述第二膜层覆盖位于所述沟槽的侧壁和底面的所述第一膜层的表面,以及所述第一膜层的顶表面;
再采用无掩膜干法刻蚀,去除位于所述第一膜层的顶表面的所述第二膜层和位于所述沟槽的底部的所述第二膜层,保留位于所述沟槽的侧壁的所述第二膜层。
7.一种图像传感器,其特征在于,包括:
基底,所述基底上方依次形成有像素单元和层间介质层,所述层间介质层的表面形成有金属层,所述金属层在所述基底上的投影与所述像素单元不重合;
保护层,所述保护层覆盖所述层间介质层和所述金属层;
沟槽,所述沟槽贯穿所述保护层和部分厚度的所述层间介质层,所述沟槽位于所述像素单元的上方。
8.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
依次覆盖所述沟槽侧壁的第一膜层和第二膜层,所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。
9.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述基底上方形成有像素区和位于所述像素区两侧的逻辑区,所述像素单元形成在所述像素区中,所述金属层位于所述逻辑区的正上方。
10.如权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述层间介质层中位于所述像素单元正上方的两侧区域分布有层间金属层,所述层间金属层包括沿垂直于所述基底方向间隔分布的第一层间金属层和第二层间金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的