[发明专利]非易失性存储器装置、其操作方法及包括其的存储器系统在审
申请号: | 202210292802.9 | 申请日: | 2022-03-24 |
公开(公告)号: | CN115206384A | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 黄盛炫;辛在贤 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/12;G11C16/26;G11C5/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 叶朝君;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 装置 操作方法 包括 存储器 系统 | ||
本申请涉及非易失性存储器装置、其操作方法及包括其的存储器系统。一种存储器系统包括:非易失性存储器装置,其包括多个存储块,每个存储块包括联接到多条字线的多个存储器单元;以及控制器,其被配置为控制非易失性存储器装置以对多个存储块执行读取操作,其中,读取操作包括:向多条字线提供第一电压电平的第一操作、将多条字线放电到第二电压电平的第二操作、向多条字线提供小于第一电压电平的第三电压电平的第三操作、以及将多条字线放电到第四电压电平的第四操作。
技术领域
本公开的各种实施方式涉及半导体设计技术,并且具体地,涉及支持读取刷新操作的非易失性存储器装置、非易失性存储器装置的操作方法以及包括非易失性存储器装置的存储器系统。
背景技术
存储器系统是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体来实施的储存装置。存储器系统被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是存储在其中的数据在供电中断时丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器装置是即使在供电中断时也保持存储在其中的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。闪存主要分为NOR型存储器和NAND型存储器。
近来,计算机环境范式已经转移到无所不在的计算,其使得计算机系统能够随时随地被访问。结果,诸如移动电话、数码相机、笔记本计算机等的便携式电子装置的使用已经增加。这样的便携式电子装置通常使用或包括使用或嵌入至少一个存储器装置(即,数据储存装置)的存储器系统。数据储存装置可以用作便携式电子装置的主储存装置或辅储存装置。
在计算装置中,与硬盘不同,被实现为非易失性半导体存储器装置的数据储存装置的优点在于,它具有优异的稳定性和耐久性,因为它不具有机械驱动部件(例如,机械臂),并且具有高数据存取速度和低功耗。这样的数据储存装置的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固态驱动器(SSD)。
发明内容
本公开的各种实施方式旨在提供能够有效地执行读取刷新操作的非易失性存储器装置、非易失性存储器装置的操作方法以及包括非易失性存储器装置的存储器系统。
本公开中要实现的技术问题不限于上述技术问题,并且本公开所属技术领域的技术人员将通过以下描述清楚地理解其它未提及的技术问题。
根据本发明的实施方式,一种存储器系统可以包括:非易失性存储器装置,其包括多个存储块,每个存储块包括联接到多条字线的多个存储器单元;以及控制器,其被配置为控制非易失性存储器装置以对多个存储块执行读取操作。读取操作可以包括:向多条字线提供第一电压电平的第一操作、将多条字线放电到第二电压电平的第二操作、向多条字线提供小于第一电压电平的第三电压电平的第三操作、以及将多条字线放电到第四电压电平的第四操作。
第二电压电平和第四电压电平中的每一个可以是接地电压电平。
第二电压电平可以与第三电压电平基本相同,并且第四电压电平可以是接地电压电平。
第一电压电平可以是比用于读取操作的多个读取电压电平当中的最高电平高出设定电平的电平。第三电压电平可以是多个读取电压电平中的任何一个。
多个存储块中的每一个还可以包括第一选择线和第二选择线,多条字线被布置在第一选择线和第二选择线之间。读取操作还可以包括:在第一操作或第三操作期间基本上将第一选择线和第二选择线保持为导通电压电平;在第二操作期间基本上将第一选择线和第二选择线保持为导通电压电平和截止电压电平中的一者;以及在第四操作期间基本上将第一选择线和第二选择线保持为截止电压电平。
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