[发明专利]一种窑具生产用氮化硅浸渍剂的配方及制备与应用工艺

权利要求书

1.一种窑具生产用氮化硅浸渍剂的配方，其特征在于：按重量计包括氮化硅10~30份、抗氧化剂0~30份、增强剂0~30份、助剂0~20份、分散剂0.1~10份、水30~100份。

2.如权利要求1所述的配方，其特征在于：所述氮化硅线膨胀系数为2.8~3.2×10^-6/℃(20~1000℃)，热导率为2~155W/(m·K)，耐压强度为490MPa以上，粒径为10μm以下。

3.如权利要求1所述的配方，其特征在于：所述抗氧化剂包括氧化钽、硅化钽、氧化铌，硅化铌中的一种或多种，所述抗氧化剂粒径为10μm以下。

4.如权利要求1所述的配方，其特征在于：所述增强剂包括氧化锆、碳酸锆、碳化锆、二硼化锆，所述增强剂粒径为10μm以下。

5.如权利要求1所述的配方，其特征在于：所述助剂为二氧化钛、二氧化硅、硼酸、硼砂、硼酸铝中的一种或多种，其中不溶物粒径为10μm以下。

6.一种浸渍剂的制备方法，其特征在于:采用了如权利要求1~5任一项所述的配方，包括如下步骤：

第一步，根据所述配方称量出相应重量的原料，并分别保存；

第二步，在室温下先将助剂与适量水混合均匀，并以20~500rpm的搅拌速度进行搅拌，得到溶液Ⅰ；

第三步，保持上一步的搅拌速度，将氮化硅、抗氧化剂、增强剂、分散剂加入，并控制粘度，使粘度达到1~10Pa·s，再以30~500rpm进行搅拌5~60min，得到氮化硅浸渍剂。

7.一种浸渍剂的应用工艺，其特征在于：所述浸渍剂采用权利要求1~5任一项所述的配方制成，包括如下步骤：

第一步，将窑具置于真空罐内，抽真空使真空度为0.1~1MPa，并保持1-20min；

第二步，向罐内注入所述浸渍剂并淹没整个窑具，使液面超出窑具最高处3~5cm；

第三步，向真空罐内施加0.1MPa以上的正压力，该正压力记作标准浸渍压力，以不小于0.05MPa/min加压速率达到标准浸渍压力，并保持在标准浸渍压力下浸渍20~60min，使窑具充分吸纳浸渍剂，然后泄压放气，将浸渍后的窑具进行干燥。

8.一种浸渍剂应用工艺，其特征在于：所述浸渍剂采用权利要求1~5任一项所述的配方制成，针对尺寸小的窑具，包括如下处理步骤：

第一步，将窑具置于容器内，注入所述浸渍液并淹没整个窑具；

第二步，通过调节液面至窑具距离，控制浸涂时间，液面范围高于窑具上端3~15cm，浸涂时间为10-120min，；

第三步，浸涂后，快速进行干燥，在常温下5min分钟内升至50~80℃, 保温30min。

9.根据权利要求7或8所述的浸渍剂应用工艺，其特征在于：所述窑具替换为具有孔隙的耐火材料，实现对耐火材料的浸渍，从而增强耐火材料的高温抗氧化性能。