[发明专利]一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅基高阻值电阻器，其特征在于：包括半绝缘4H-SiC型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的硅面和碳面上设置有对称的原子级厚度的氧化铝绝缘层，所述氧化铝绝缘层的厚度为0.2nm-2nm，所述氧化铝绝缘层的两侧蒸镀导电的金属电极，所述金属电极的厚度为100nm-500nm。

2.一种碳化硅基高阻值电阻器，其特征在于：所述金属电极选用金、银、铜或铝中的一种或多种。

3.如权利要求1-2所述的一种碳化硅基高阻值电阻器的制备方法，其特征在于：

步骤如下：

步骤一：选定一定厚度和电阻率的半绝缘4H-SiC型碳化硅衬底，通过原子力显微镜对衬底进行碳面与硅面的标定；

步骤二：对碳化硅衬底进行清洗和烘干，带一次性手套反复轻揉碳化硅衬底正反面，直到用去离子水冲洗正反面形成均匀水膜为止；之后将冲洗干净的碳化硅衬底置于超声波清洗器中，分别用去离子水、丙酮和异丙醇各超声清洗15min，将洗好的碳化硅衬底备用；

步骤三：使用原子层沉积技术或磁控溅射技术分别在碳化硅基底的碳面和硅面沉积0.2nm-2nm的氧化铝绝缘层；

步骤四：在沉积好的氧化铝绝缘层两侧分别粘贴电极掩膜版，根据欲制成的电阻器阻值决定电极掩膜版的遮盖面积；

步骤五：将贴好掩膜版的碳化硅放入磁控溅射仪器腔体中，使用磁控溅射的方式在沉积氧化铝后的碳化硅的硅面和碳面分别溅射一层100nm-500nm厚的金属电极，金属电极的材料采用金、银、铜、铝中的一种或多种；

步骤六：从镀膜室取出样品，去除掩膜版，获得一种碳化硅基高阻值电阻器，并使用半导体分析仪对制备好的电阻进行伏安特性的测试。