[发明专利]氮化镓器件及具有其的开关电源产品在审
| 申请号： | 202210295108.2 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114883398A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王祥;武占侠;洪海敏;刘飞飞;温雷;文豪;卜小松 | 申请（专利权）人： | 深圳智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 邵泳城 |
| 地址： | 518017 广东省深圳市福田区福保街道福保*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 器件 具有 开关电源 产品 | ||
1.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：
衬底；
过渡层，所述过渡层位于所述衬底的一侧；
缓冲层，所述缓冲层设置于所述过渡层远离所述衬底的一侧；
沟道层，所述沟道层设置于所述缓冲层远离所述过渡层的一侧；
势垒层，所述势垒层设置于所述沟道层远离所述缓冲层的一侧；
第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述势垒层远离所述沟道层的一侧；
单层薄膜场板，所述单层薄膜场板设置于所述第一钝化层远离所述势垒层的一侧；
第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述单层薄膜场板远离所述第一钝化层的一侧。
2.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述单层薄膜场板主要包括高阻材料，所述高阻材料的电阻率为107-1011Ω·cm。
3.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，所述单层薄膜场板的厚度为150nm～1000nm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓器件，其特征在于，形成所述单层薄膜场板的材料选自SIPOS、AlN、Ga2O3中的至少一种。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，所述单层薄膜场板中所述高阻材料的质量百分含量为20％～100％。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，所述单层薄膜场板在所述衬底上的正投影与所述势垒层在所述衬底上的正投影相同。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，还包括：
源极，所述源极通过第一通孔与所述沟道层接触，所述第一通孔贯穿所述第二钝化层、所述单层薄膜场板、所述第一钝化层和所述势垒层，并延伸至所述沟道层；
漏极，所述漏极通过第二通孔与所述沟道层接触，所述第二通孔贯穿所述第二钝化层、所述单层薄膜场板、所述第一钝化层和所述势垒层，并延伸至所述沟道层；
栅极，所述栅极设置在第三通孔中，所述第三通孔贯穿所述第二钝化层和所述单层薄膜场板。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化镓器件，其特征在于，所述第二钝化层覆盖设置在所述单层薄膜场板的边缘侧面、所述第一钝化层的边缘侧面、所述势垒层的边缘侧面和所述沟道层的边缘侧面。
9.一种开关电源产品，其特征在于，具有权利要求1～8任一项所述的氮化镓器件。
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