[发明专利]LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管

权利要求书

1.一种LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一掺杂类型的硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；

在第一外延层上进行第二次外延掺杂形成第一掺杂类型的第二外延层；

对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀处理，选择性去除第一部分的第二外延层，以使余留的第二部分的第二外延层构成第一掺杂类型的体区；

在第一外延层上的去除第一部分的第二外延层的区域进行第三次外延掺杂形成第二掺杂类型的第三外延层，第二掺杂类型的第三外延层与第一掺杂类型的体区相接，以使第二掺杂类型的第三外延层构成第二掺杂类型的漂移区；

在第二掺杂类型的漂移区内形成浅槽隔离区；

形成源漏区和栅极结构。

2.根据权利要求1所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型的体区的杂质浓度呈梯度分布，所述第一掺杂类型的体区的表面区域的杂质浓度低于靠近所述第一外延层的区域的杂质浓度；

所述第二掺杂类型的漂移区的杂质浓度呈梯度分布，所述第二掺杂类型的漂移区的表面区域的杂质浓度低于靠近所述第一掺杂类型的体区的区域的杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型；

所述第一掺杂类型的硅衬底为P型硅衬底，所述第二掺杂类型的埋层为N型埋层，所述第二掺杂类型的第一外延层为N型第一外延层；

所述第一掺杂类型的第二外延层为P型第二外延层，所述第一掺杂类型的体区为P型体区，所述第二掺杂类型的漂移区为N型漂移区。

4.根据权利要求3所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀处理，包括：

采用化学气相沉积法在所述P型第二外延层上沉积形成氧化层；

在所述氧化层上涂覆光刻胶，对涂覆光刻胶的P型第二外延层进行光刻处理；

采用干法刻蚀法对所述P型第二外延层进行刻蚀处理。

5.根据权利要求4所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成N型漂移区之后，采用湿法刻蚀法去除所述氧化层，对所述N型漂移区和所述P型体区进行平坦化处理。

6.根据权利要求3所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述在第二掺杂类型的漂移区内形成浅槽隔离区，包括：

在N型漂移区上沉积形成氮化硅层；

在所述氮化硅层上形成图形化的掩膜；

根据掩膜刻蚀N型漂移区形成沟槽；

在所述沟槽中填充二氧化硅之后进行平坦化处理，填充后的沟槽构成浅槽隔离区。

7.根据权利要求3所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成源漏区和栅极结构，包括：

在N型漂移区和P型体区上形成牺牲氧化层；

在牺牲氧化层上涂覆光刻胶，在光刻胶上形成所需的光刻图形；

根据光刻图形进行离子注入形成源漏区；

采用湿法腐蚀的方法去除牺牲氧化层；

在N型漂移区和P型体区的上方形成栅极结构。

8.根据权利要求7所述的LDMOSFET晶体管的制作方法，其特征在于，所述在N型漂移区和P型体区的上方形成栅极结构，包括：

在N型漂移区和P型体区上生长栅氧化层；

在栅氧化层上形成多晶硅薄膜；

在多晶硅薄膜上形成二氧化硅薄膜；

对二氧化硅薄膜进行光刻处理，以形成栅掩膜；

根据栅掩膜的掩膜图案对多晶硅薄膜及栅氧化层进行刻蚀处理，以形成多晶硅栅极。