[发明专利]一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块

权利要求书

1.一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，包括DBC基板、连接节点、对称设置于DBC基板上的上半桥臂和下半桥臂，所述DBC基板包括陶瓷层和两层导电层，所述陶瓷层设置于两层导电层之间；

所述上半桥臂和下半桥臂均包括对称且并联设置的六枚SiC MOSFET芯片(11)；所述导电层上设有连接节点，所述连接节点包括DC+节点、DC-节点、AC节点、第一源极节点K_S1、第一栅极节点G₁、第二源极节点K_S2和第二栅极节点G₂；

在上半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片(11)的漏极与DC+节点连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的功率源极与AC节点连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的驱动源极与第一源极节点(K_S1)连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的栅极与第一栅极节点(G₁)连接；

在下半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片(11)的漏极均与AC节点连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的功率源极与DC-节点连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的驱动源极与第二源极节点(K_S2)连接，所述SiC MOSFET芯片(11)的栅极与第二栅极节点(G₂)连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，所述连接节点上均设有覆铜，记为DC+覆铜、DC-覆铜(6)、AC覆铜(5)、第一源极覆铜(2)、第一栅极覆铜(1)、第二源极覆铜和第二栅极覆铜。

3.根据权利要求2所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，在上半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片(11)的漏极与DC+覆铜焊接；所述SiC MOSFET芯片(11)的功率源极通过键合线(12)与AC覆铜(5)连接；所述SiC MOSFET芯片(11)的驱动源极通过第一电阻(10)与第一源极覆铜(2)连接；所述SiC MOSFET芯片(11)的栅极通过第二电阻与第一栅极覆铜(1)连接。

4.根据权利要求2所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，在下半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片(11)的漏极与AC覆铜(5)焊接；所述SiC MOSFET芯片(11)的功率源极通过键合线(12)与DC-覆铜(6)连接；所述SiC MOSFET芯片(11)的驱动源极通过第三电阻与第二源极覆铜连接；所述SiC MOSFET芯片(11)的栅极通过第四电阻与第二栅极覆铜连接。

5.根据权利要求3或4所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，在漏极焊接时，采用真空回流焊接工艺。

6.根据权利要求3或4所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，在功率源极连接时，采用超声键合工艺。

7.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，所述陶瓷层(9)由AlN材料制成。

8.根据权利要求7所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，所述陶瓷层(9)的厚度为0.6～0.7mm。

9.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，所述导电层的厚度为0.3～0.35mm。

10.根据权利要求1所述的一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，其特征在于，所述AC节点包括多个功率端子，所述功率端子与外接输出端子连接。