[发明专利]气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置

说明书

本发明提供一种气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置，能够简易地抑制由于用于供给和切断气体的开闭阀的Cv值的变化引起的气体供给量的变动。气体供给装置具有：气体供给源，其供给气体；气体供给路径，其用于从气体供给源向处理空间供给气体；开闭阀，其设置于气体供给路径，用于供给和切断气体；检测单元，其检测与开闭阀的Cv值具有相关性的可检测的指标；开度调节机构，其调节开闭阀打开时的开度；以及控制部，存储开闭阀的Cv值与指标的关系，在该指标偏离与适当的Cv值对应的适当范围的情况下，所述控制部控制通过开度调节机构调节的开闭阀的开度，以使该指标成为适当范围。

技术领域

本公开涉及一种气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置。

背景技术

以往以来，在半导体装置的制造中，已知一种通过化学蒸镀法(Chemical VaporDeposition；CVD)、原子层沉积法(Atomic Layer Deposition；ALD)来在基板上进行膜的成膜的技术。

在这些技术中，在用于供给气体的气体供给线路中使用进行开闭以进行气体的供给和切断的阀。这样的阀在重复开闭的过程中产生磨损而导致作为其特性值的Cv值发生变化，由此引起气体供给量发生变动从而导致成膜结果发生变动。特别地，在ALD的情况下，阀的开闭频率高，这样的成膜结果的变动会成为问题。

因此，在专利文献1中，作为防止由于阀的Cv值的变化引起的成膜结果的变动的技术，提出了一种通过执行用于确认阀的Cv值的校正制程来计算Cv值的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020-4957号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够简易地抑制由于用于供给和切断气体的开闭阀的Cv值的变化引起的气体供给量的变动的气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个实施方式所涉及的气体供给装置向用于对基板进行气体处理的处理空间供给气体，所述气体供给装置具有：气体供给源，其供给气体；气体供给路径，其用于从所述气体供给源向所述处理空间供给气体；开闭阀，其设置于所述气体供给路径，用于供给和切断气体；检测单元，其检测与所述开闭阀的Cv值具有相关性的可检测的指标；开度调节机构，其调节所述开闭阀开启时的开度；以及控制部，存储所述开闭阀的Cv值与所述指标的关系，在所述指标偏离了与适当的Cv值对应的适当范围的情况下，所述控制部控制通过所述开度调节机构调节的所述开闭阀的开度，以使所述指标成为所述适当范围。

发明的效果

根据本公开，能够提供一种能够简易地抑制由于用于供给和切断气体的开闭阀的Cv值的变化引起的气体供给量的变动的气体供给装置、气体供给方法以及基板处理装置。

附图说明

图1是表示具备第一实施方式所涉及的气体供给装置的基板处理装置的概要结构的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的气体供给装置的、包括作为原料气体供给部的主要部分的后级侧阀的部分的图。

图3是表示将图2所示的后级侧阀关闭了的状态的图。

图4是表示后级侧阀的隔膜的提升量(阀的开度)与阀的Cv值之间的关系的图。

图5是表示ALD工艺中的气体供给的时序图。

图6是表示第二实施方式所涉及的气体供给装置的概要结构的图。

图7是表示在第二实施方式中以第一气体供给模式供给TiCl₄气体时的前级侧阀、后级侧阀的开闭状态以及气体流量波形的图。