[发明专利]一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物及电致发光器件在审
申请号: | 202210299899.6 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN114560891A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 王利祥;赵磊;吕剑虹;王兴东;李伟利;邵世洋;王淑萌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 夏菁 |
地址: | 130022 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 吲哚 喹啉 结构 配合 电致发光 器件 | ||
1.一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物,具有式I-1或式I-2所示结构:
其中,Z1为C且Z2为N,或者Z1为N且Z2为C;
具有式II-1~式II-7中的任意一种所示的结构:
其中,X选自单键、-C(R11R12)-、-C=O-、-Si(R11R12)-、-N(R11)-、-PO(R11)-、-P(R11)=O-、-B(R11)-、-O-、-S-、-Se-、-S=O-、-SO2-中的任意一种;所述R11和R12各自独立地选自H、D、C1~C30的直链烃基、C1~C30的支链烃基、C3~C30的环烷基、C6~C60的芳基或C5~C60的杂芳基,所述杂芳基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种;
选自碳碳单键、取代或未取代的C1~C30的直链烃基、取代或未取代的C1~C30的支链烃基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的C3~C30的环烷基、取代或未取代的C1~C30的烷氧基、取代或未取代的C1~C30的烷硫基、取代或未取代的C6~C60的芳基、取代或未取代的C6~C60的芳醚基、取代或未取代的C4~C60的杂芳基或取代或未取代的C4~C60的杂芳醚基,所述杂芳基或杂芳醚基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种;
R1~R10独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-CF3、-OH、-SH、-NH2、C1~C30的直链烃基或氘代直链烃基、C1~C30的支链烃基氘代支链烃基、C3~C30的环烷基、C1~C30的烷氧基、C1~C30的烷硫基、C6~C60的芳基、C6~C60的芳醚基、C5~C60的杂芳基或C5~C60的杂芳醚基,所述杂芳基或杂芳醚基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种;
m1~m10独立地选自0~4的整数;
*表示连接位置。
2.根据权利要求1所述的含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物,其特征在于,所述R11和R12各自独立地选自H、D、C1~C10的直链烃基、C1~C10的支链烃基、C3~C12的环烷基、C6~C12的芳基或C5~C12的杂芳基,所述杂芳基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种;
R1~R10独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-CF3、-OH、-SH、-NH2、C1~C10的直链烃基或氘代直链烃基、C1~C10的支链烃基或氘代支链烃基、取代或未取代的C3~C12的环烷基、取代或未取代的C1~C10的烷氧基、取代或未取代的C1~C10的烷硫基、取代或未取代的C6~C12的芳基、取代或未取代的C6~C12的芳醚基、取代或未取代的C5~C12的杂芳基、取代或未取代的C5~C12的杂芳醚基、取代或未取代的C6~C12的芳胺基、C1~C10的直链烃基或支链烃基取代的羰基,所述杂芳基或杂芳醚基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物,其特征在于,所述R11和R12各自独立地选自H、D、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基或苯基。
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