[发明专利]晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质

说明书

本申请涉及一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质，其中，该晶圆数据的处理方法包括：获取目标晶圆的晶圆图，所述晶圆图被划分为多个裸片区域；分别确定所述目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。通过本申请，解决了晶圆数据的价值无法被用户所用的技术问题，用户可以直接根据晶圆数据确定裸片的电性失效数据与缺陷数据之间的关联，进一步直观地确定导致裸片电性失效的缺陷原因，提高了用户基于检测结果对晶圆良率进行分析的速度和便利性。

技术领域

本申请涉及晶圆检测领域，特别是涉及一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质。

背景技术

晶圆作为制造半导体集成电路不可缺少的硅裸片，在芯片、半导体等领域变得越来越重要。由于制造工艺、材质、环境等问题，晶圆在制造过程中可能出现缺陷，因此在需要对晶圆缺陷进行检测。

在现有技术中，一般通过针触法、原子力法以及光学法等对晶圆进行检测，从而获取晶圆的电性失效类型以及缺陷位置、缺陷类型、缺陷所属的裸片区域等晶圆缺陷信息。但是，晶圆缺陷的产生原因、时间、位置等各不相同，现有技术中只能以文字或者表格等形式显示晶圆的电性失效类型以及晶圆缺陷信息，导致晶圆缺陷检测的结果不够直观，用户无法直接根据检测结果对晶圆良率进行分析，从而无法发挥晶圆数据的重要价值。

针对相关技术中存在的晶圆数据的价值无法被用户所用的技术问题，目前还没有提出有效的解决方案。

发明内容

在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理方法、装置、电子装置和存储介质，以解决相关技术中晶圆数据的价值无法被用户所用的问题。

第一个方面，在本实施例中提供了一种晶圆数据的处理方法，包括：

获取目标晶圆的晶圆图，所述晶圆图被划分为多个裸片区域；

分别确定所述目标晶圆中各个裸片对应的电性失效类型以及至少一种缺陷类型；

分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。

在其中的一些实施例中，所述分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息包括：

在所述晶圆图中确定缺陷位置；

基于所述缺陷位置，在所述缺陷位置所属的裸片区域中设置与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息。

在其中的一些实施例中，所述在所述晶圆图中确定缺陷位置包括：

获取所述目标晶圆中的缺陷点在原始坐标系中的坐标位置，所述原始坐标系包括在工艺流程中对所述目标晶圆观测时所基于的坐标系；

基于所述原始坐标系与所述晶圆图所对应的基准坐标系之间的转换关系，确定所述缺陷点在所述基准坐标系中的坐标位置。

在其中的一些实施例中，所述原始坐标系与所述基准坐标系之间的转换关系按照下述方式确定：

分别确定至少两个参考点在所述原始坐标系下的原始参考坐标以及在所述基准坐标系下的基准参考坐标；

基于所述原始参考坐标以及所述基准参考坐标，确定所述原始坐标系与所述基准坐标系之间的转换关系。

在其中的一些实施例中，所述分别在所述晶圆图中的多个裸片区域中设置与所述电性失效类型相匹配的标识信息以及与所述至少一种缺陷类型相匹配的标识信息之后还包括：

接收第一操作指令，所述第一操作指令用于指示获取至少一个目标电性失效类型和/或至少一个目标缺陷类型对应的所述裸片区域；

在所述晶圆图中突出显示与所述目标电性失效类型和/或目标缺陷类型对应的所有所述裸片区域。