[发明专利]含有桥连三聚吲哚和有机硼稠环结构的化合物及有机电致发光器件在审
申请号: | 202210300154.7 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN114605455A | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 王利祥;邵世洋;王兴东;李伟利;吕剑虹;赵磊;王淑萌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | C07F5/02 | 分类号: | C07F5/02;C07F7/08;C07F9/6584;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 三聚 吲哚 有机 硼稠环 结构 化合物 电致发光 器件 | ||
本发明提供了一种含有桥连三聚吲哚和有机硼稠环结构的化合物,具有式I‑1或式I‑2所示结构。该化合物含有硼原子和杂化稠环单元,其作为发光材料可利用硼原子和氮/氧/硫/硒/碲原子之间的共振效应实现HOMO和LUMO的分离,从而实现较小的ΔEST和TADF效应,同时杂化稠环单元具有刚性骨架结构,能够降低激发态结构弛豫程度,从而实现较窄的半峰宽;并且该化合物可通过引入氮/氧/硫/硒/碲原子以及不同的取代基,能够实现对半峰宽的进一步调节。
技术领域
本发明涉及材料技术领域,具体是一种含有桥连三聚吲哚和有机硼稠环结构的化合物及有机电致发光器件。
背景技术
有机发光器件(OLEDs)具有色彩丰富、厚度薄、可视角度广、快速响应以及可制备柔性器件等特点,被认为是最具有发展前景的下一代平板显示和固体照明技术。
OLEDs通常是由ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极组成,按需要可省略1~2有机层,通过在有机物薄膜上由正极和负极注入的空穴(Hole)与电子(Electron)相结合形成激子(Exciton),当激子从激发态回到稳定的基态稳时以发光的形式释放能量从而发光。
由于受到自旋量子统计规律的限制,传统的荧光材料在电致发光过程中仅能利用占全部激子数目25%的单线态激子,其余75%的三线态激子通过非辐射跃迁的方式失活,因此其器件内量子效率(IQE)的最大值为25%。而磷光金属配合物利用重金属原子的旋轨耦合作用可以将三线态激子转化为光子,实现对三线态激子的利用,实现100%的内量子效率,但这一途径面临磷光金属配合物价格昂贵的问题。
热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料是继传统荧光和磷光材料之后的第三代有机发光材料,该类材料一般具有较小的单线态-三线态能级差(ΔEST),利用热活化的反向系间窜越(RISC)过程将三线态激发态转移至单线态激发态发出荧光,从而实现对单线态和三线态激子的充分利用,实现100%的内量子效率。同时该类材料也应具有较高的荧光量子效率(PLQY)从而促进单线态激子以光的形式衰减,提高器件效率。
目前TADF分子的主要实现途径是引入电子给体(D)和电子受体(A)单元,使得最高占据轨道(HOMO)和最低空轨道(LUMO)发生分离,从而实现小的ΔEST。但是这种D-A结构由于其激发态的振动弛豫较明显而表现出较宽的发光光谱,半峰宽(FWHM)一般在70~100nm,不利于制备具有高色纯度的OLED器件。另一方面,这种激发态的结构弛豫还导致发生非辐射跃迁,从而降低其荧光量子效率(PLQY),不利于器件效率的提升。
因此如何通过合理的化学结构设计,开发出同时具有TADF效应、窄半峰宽光谱和高PLQY的发光材料,解决上述材料面临的缺陷,已成为领域内诸多具有前瞻性的研究人员亟待解决的问题之一。
发明内容
有鉴于此,本发明所要解决的技术问题在于提供一种含有桥连三聚吲哚和有机硼稠环结构的化合物及有机电致发光器件,这类化合物既具有很强的TADF效应、又具有窄半峰宽光谱特性,同时还具有高PLQY的特点,适合于制备高效率和窄发光光谱的OLED器件。
含有桥连三聚吲哚和有机硼稠环结构的化合物,具有式I-1或式I-2所示结构:
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