[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，包括主动区平台，所述主动区平台包含分别位于其下部、顶部的氧化层、P型电极，所述氧化层包括氧化限制层和被所述氧化限制层包围的氧化孔；其特征在于，所述主动区平台内部设置有至少一条电性通道，所述电性通道从P型电极出发并向氧化限制层延伸。

2.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电性通道的末端与氧化限制层连接。

3.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电性通道的内侧边缘与氧化限制层的内侧边缘在水平方向相距1 um ～5um。

4.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电性通道水平方向宽度为1 um ～5um。

5.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电性通道由金属材料、或石墨材料、或石墨烯材料构成。

6.如权利要求1所述垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电性通道在水平方向上的投影呈中空闭合结构。

7.如权利要求1～5任一项所述垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：

形成主动区平台并对其进行侧壁氧化以形成所述氧化层的步骤；

在主动区平台中形成容纳所述电性通道的空间的步骤；

在所述空间中填充导电材料以形成所述电性通道的步骤。

8.如权利要求7所述制备方法，其特征在于，使用PVD镀膜的方法在所述空间中填充导电材料。