[发明专利]抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器在审
| 申请号： | 202210301952.1 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114708894A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 秦家军;常泽光;赵雷;安琪 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;付久春 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粒子 翻转 功耗 sram 存储 单元 电路 存储器 | ||
1.一种抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路，其特征在于，包括：
七个NMOS管和四个PMOS管；其中，
第一NMOS管MN1的栅极、第一PMOS管MP1的栅极、第七NMOS管MN7的源极和第五NMOS管MN5的源极电性连接；
第二NMOS管MN2的栅极、第二PMOS管MP2的栅极、第四NMOS管MN4的漏极、第四PMOS管MP4的漏极、第三NMOS管MN3的源极、第三PMOS管MP3的源极和第七NMOS管MN7的漏极电性连接；
第一NMOS管MN1的漏极、第二NMOS管MN2的源极和第三NMOS管MN3的漏极电性连接；
第一PMOS管MP1的漏极、第二PMOS管MP2的源极和第三PMOS管MP3的漏极电性连接；
第二NMOS管MN2的漏极、第二PMOS管MP2的漏极、第三NMOS管MN3的栅极、第三PMOS管MP3的栅极、第四NMOS管MN4的栅极、第四PMOS管MP4的栅极和第六NMOS管MN6的源极电性连接；
所述第五NMOS管MN5的栅极与第六NMOS管MN6的栅极均与字线WL电性连接；
所述第七NMOS管MN7的栅极与写控制线CL电性连接；
所述第五NMOS管MN5的漏极与第一位线BLB电性连接；
所述第六NMOS管MN6的漏极与第二位线BL电性连接；
所述第一NMOS管MN1的源极、第四NMOS管MN4的源极和所有NMOS管的体端均接地GND；
所述第一PMOS管MP1的源极、第四PMOS管MP4的源极和所有PMOS管的体端均连接电源VDD。
2.根据权利要求1所述的抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路，其特征在于，所述第二PMOS管MP2的漏极为第一存储节点Q；所述第四PMOS管MP4的漏极为第二存储节点Qb；
所述第一存储节点Q与所述第二存储节点Qb为互锁的节点。
3.一种抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储器，其特征在于，其存储电路采用权利要求1或2所述的抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路。
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