[发明专利]一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法

权利要求书

1.一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤S1：将超晶格焦平面芯片放置于感应耦合等离子体设备的基板上；

步骤S2：对基板降温至10-15℃处理，达到10-15℃后维持时间10-15min；

步骤S3：采用氧等离子体处理超晶格焦平面芯片表面；在采用氧等离子体处理超晶格芯片表面过程中，氧气流量为50-80sccm，氧等离子体处理的功率为30-50W，压强为20-40mTorr，持续时间为30-60S；

步骤S4：采用氩等离子体处理超晶格焦平面芯片表面；在采用氩等离子体处理超晶格芯片表面过程中，氩气流量为5-10sccm，氩等离子体处理的功率为5-10W，压强为2-5mTorr，持续时间为5-10S；

步骤S5：对基板进行升温至20-22℃处理，达到20-22℃后持续时间为5-10min。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述感应耦合等离子体设备基板为硅片基板。